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IH加熱に適した鍋材
IH土鍋(銀ペースト)
IH鍋
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IH鍋と銀ペースト
IPSモード(液晶ディスプレー)
、
ITO(エッチャント)
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赤い色(リンゴ)
アクリル(可視光透過率)
アクリル(熱伝導率)
アクリル(熱膨張係数)
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亜酸化銅(熱処理による抵抗変化)
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「新しい磁気と光の科学」
、
圧延材(Al)
圧着端子の加熱による強度変化
圧電セラミクス
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圧電性(ZnO)
圧電体(発熱)
圧力印加(磁化の変化と磁気特性の変化)
アナターゼ(マイクロ波特性;ルチルとのちがい)
アナログ電子回路の現状と課題
アナログ通信とディジタル通信
アバランシェ現象(深い不純物準位のある場合の)
アッベの屈折計
アモルファスカーボン(ダイヤモンド微結晶との混相の光学バンドギャップ)
アモルファス金属
アモルファス磁性体
アモルファスシリコン(吸収端)
アモルファスシリコン(光化学)
アモルファスシリコン(pinダイオードのI-V特性)
アモルファスシリコン(活性化エネルギー)
アモルファス半導体(キャリア濃度)
アモルファス太陽電池のpin構造
アモルファスライクな構造(絶縁性)
アモルファス→結晶相転移(DVD)
アモルファスAl2O3(アルミ酸化膜の耐食性)
粗さ(金属表面の反射率)
粗さの単位KA
RFマグネトロンスパッタ装置(プラズマ温度)
アルゴンガス中の飽和水蒸気量
1369.アルマイト処理したアルミ表面の輻射率について
γアルミナ(Al2O3)(の硬度)
1039. アルミナ(レーザー加工)
アルミナ(基板と銅との接合)
アルミナ(ダイヤモンドとの接合)
アルミニウム(板のマイクロ波反射率)
アルミニウム(板の反り)
アルミニウム(板上でのネオジム磁石の運動)
アルミニウム(空気中に放置した塊の温度)
アルミニウム(合金の焼鈍後の腐食)
アルミニウム(酸化被膜の耐食性)
アルミニウム(蒸着膜の反射率:クロムとの比較)
アルミニウム(焼鈍材と圧延材)
アルミニウム(スチール缶と)
アルミニウム(線の銅フレームとのボンディング)
アルミニウムの熱伝導率測定
アルミニウム(線膨張係数)
アルミニウム線(皮膜で固定した場合の熱膨張と線膨張)
アルミニウム(中のチタンの拡散係数)
アルミニウム(鋳造合金のポワソン比)
アルミニウム(低温成膜Alの物性)
アルミニウム(電気特性の面積による違い)
アルミニウム(熱間押出, スジ状欠陥の色の見え方)
アルミニウム(パイプ)
アルミニウム(薄膜の応力緩和速度)
アルミニウム(反射率)
アルミニウム(反射率の入射角による変化)
アルミニウム(反射率のディップ)
アルミニウム(高い反射率の起源)
アルミニウム(堆積温度による薄膜の物性の違い)
アルミニウム(誘電率)
アルミニウム(UV反射率)
アルミニウム(棒加工後の変形)
アルミニウム(見分け方)
アルミニウム(容器での尿素の保存)
アルミニウム(溶接時の反り)
アルミニウム合金薄膜(許容電流密度)
アルミニウム合金(仕事関数)
アルミニウム合金(音響異方性)
アルミニウム合金(物性値の温度依存性)
アルミニウム・銅[Al-Cu]合金(鋳造の際の成分の偏り)
αコバルトとβコバルト
アロットプロットについて
アンチモン[Sb]の拡散(SiO
2
への)
アントシアン系色素
アンモニアの固有振動モード
アンモニウムの電気分解電圧
EL(有機)
、
EPMA分析(焼結体)
emu/g(μ
B
への換算)
イオン照射したCoCr膜のMsとTcの変化
、
イオンミリング(運動エネルギー)
異方性エッチング
異方性物質のファラデー効果
異方性結晶中の光の伝播
色(宝石)
、
色(ポリマー)
、
色(暗所での見え方)
、
色(塗料の白色・黒色)
色(リンゴと金属)
色味[いろみ](金属の斜め入射反射光)
色移り(塩化ビニール)
異常光線の吸収係数(異方性・吸収性媒質)
位相のずれ(反射の際の)
位相の飛び(斜め入射反射)
一般炭素鋼(高温でのヤング率)
印刷インクの高周波による変化は起きるか
In2O3の誘電率
InP(鉄が半絶縁性にするわけ)
インダクタンスと磁気
ウィスカ(亜鉛)
ウィレマイトの結晶構造
ウイレマイトの誘電率
ウェットスーツのコア素材の断熱性
渦電流による電磁制動
ウェハ(ランプ加熱: シリコン)
ウェーハ(薄膜干渉色除去)
運動エネルギー(イオンミリングの)
運動する点電荷(金属中に適用)
運動量行列要素
ATR法(FTIR分析に最適なプリズム)
エアロゲルの熱輸送について
エッチャント(サファイア)
エッチャント(ITO)
エッチャント(PZT)
エチレンプロピレンゴムの誘電率
N−メチル−2−ピロリドン
n形およびp形半導体(キャリア密度の温度変化)
エバネッセント波について
、
エバネッセント波(表面プラズモンとの結合)
エポキシの熱伝導率
エポキシの熱劣化の活性化エネルギー
エポキシ樹脂(AC絶縁耐圧がDCより低いわけ)
MI(磁気インピーダンス)効果
MIM構造(容量ー電圧特性)
Mn5Ge3(選択エッチング)
MOD成膜したPMNZTの表面モルホロジー
MPB(PZTの)
エリプソメトリ(CVD膜)
エリプソメトリで測定した磁性ガーネットの屈折率の磁界依存性
LIF法[酸化亜鉛PLD過程の解析]
エルビウムの発光機構(酸化ゲルマニウム中の)
エルビウムイオンの蛍光スペクトル
エレクトロマイグレーション(パルス電流における)
液化二酸化炭素の粘度
液晶中の光の伝搬の説明
液晶ディスプレー(1)
、
液晶ディスプレー(2)
、
液晶ディスプレーのIPSモード
、
液中プラズマについて
LED(チップの機械的強度測定法)
液晶表示(黒くなった)
、
液晶の交流駆動
液晶の赤外特性
、
液晶分子の配向(交流電場)
液晶の表面電位
X線回折(シリコンの200禁制反射)
X線(回折の消滅則)
X線(混相の回折)
X線(吸収)
X線(金の吸収端)
X線(吸収端の定義)
X線(結晶解析)
X線(侵入深さ)
X線回折(XRD)の配向性とは
X線(と光の透過)
X線(なぜ人間の内部を通り抜けるか)
XPSのピークシフト
FEDの封止法
FDTD法(フォトニック結晶の解析)
FTIR分析(ATR法に最適なプリズム)
SiO
2
へのSbの拡散
MBE(なぜ非平衡結晶成長なのか)
MOディスク
MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由
LEDの発光の原理
LED(紫外線340nmの)
LED(白色)
LSC を用いた試料測定の際の減衰率
LSI
塩化ビニール(色移り)
塩化ビニール(比透磁率)
塩化ビニール(弾性係数)
塩化ビニール(ヤング率とポワソン比)
炎色反応
炎色反応の記述
延伸した高分子(異方性)
延性
、
延性モード(脆性材料の切削)
遠赤外線放射率
遠赤外線(ロングパスフィルタ)
円二色性(ミュラー行列)
円二色性(無磁場で生じる)
円偏光(発生)
円偏光(反射)
円偏光板(順序)
円偏光フォトンと直線偏光フォトン
黄錫鉱
黄銅(熱伝導率の温度係数)
黄変(66ナイロン)
応力誘起直接遷移(ダイヤモンド)
応力緩和速度(アルミニウム薄膜)
オシロスコープと磁界
オーステナイトステンレス鋼の脆性
オーステナイトとマルテンサイト(761. 金属の熱処理による物性変化)
1376.オゾンの吸収係数
オパール(人工オパールと天然オパールの屈折率のちがい)
オパールの色とシリカ粒子のサイズ
オプティカルセメント(シンチレーションカウンタ用)
オペアンプ回路の飽和現象
オーム性接触(p型ガリウム窒素[GaN])
温室(ガラスの働き)
温度依存性(半導体素子の)
温度依存性(バンドギャップの)
温度勾配のある導体の電位差
温度測定(熱電対による)
温度変化(金属反射率の)
温度変化(n形およびp形半導体のキャリア密度)
音響的に優れた金属の加工法
音響異方性(アルミニウム合金)
音響伝搬特性(防音継ぎ手)
音波の縦波・横波
カ行
カ
キ
ク
ケ
コ
カー楕円率(ヒステリシス)
、
カーボン(アモルファスカーボンとダイヤモンド微結晶との混相の光学バンドギャップ)
カーボン(グラファイト)物性値
、
カーボン(赤外透過率)
カーボンナノチューブ(磁気エネルギー)
カーボンナノチューブ(磁気光学特性)
カーボンの付着と剥離
カーボンブラック(金属の除去法)
カーボンブラックの(金属不純物除去)
カーボンブラック(光学特性)
カーボンブラック(黒鉛の違い)
カーボンブラック(濡れ性)
カーボンブラック(誘電特性)
カーボンマトリックスとグラニュラー磁性体
カーボン粒子(を含むゴムの誘電損失
、
加振試験(パイプコイル)
回折格子とプリズム
回折格子と近接場
回折効率
界面電荷
ガウスの定理における電荷分布
化学反応(磁界中での)
質問#1129「磁界中での化学反応」へのコメント
拡散(ヘリウムの空気への)
拡散係数(アルミニウム中のチタンの)
拡散電位(電池として利用できるか)
拡散反射
拡散反射(金属と紙の違い)
拡散反射(均等)
拡散反射(偏光性)
拡散反射(用いたバンドギャップ算出)
重ね合わせの理(非線形回路では成立しない理由)
加飾顔料(スパッタ成膜)
ガス濃度定量(赤外透過率を用いた)
仮想屈折率法(における負の消光係数)
加速度表示(極座標の)
画像処理で区別(錫メッキ線とアルミカシメ)
硬さと延性
、
硬さ(ショアーの)
、
硬さ(シリコン)
、
硬さ(と濡れ性)
、
硬さ(と反発係数)
活性化エネルギー(グラファイトとダイヤモンドの点欠陥の)
活性化エネルギー(結晶シリコンとアモルファスシリコン)
活性化エネルギー(高濃度ドープ半導体)
活性化エネルギー(真性半導体の)
活性炭素繊維の光導電性は測定できるか
カドミウムテルル(CdTe)の電析について
金型と亜鉛メッキ(凝着を防ぐには)
加熱ATRの高温特性(ダイヤモンド)
紙おむつ(子ども科学教室の説明)
ガラス(高温での結晶化)
ガラスの磁気複屈折
ガラス(赤外特性)
ガラス板(傾けたときの偏光性)
ガラス(ファラデー効果の測定)
ガラスエポキシ(の硬化則)
ガリウム金属(保存)
ガリウム砒素[GaAs](ドーパント)
ガリウム砒素[GaAs]ガリウム燐[GaP](バンドギャップ)
ガリウム砒素[GaAs](光学定数)
ガリウム砒素[GaAs](半絶縁性)の電流電圧特性
ガリウム砒素[GaAs]の砒素[As]空孔の電子描像
ガリウム砒素[GaAs](電子線励起プラズマの光学的観察)
ガリウム窒素[GaN](ヤング率)
ガリウム窒素[GaN](p型, オーム性接触)
カルコパイライト半導体(物性データの出典)
岩石と木材
干渉縞(スペクトル幅)
干渉縞(薄膜)
干渉縞(屈折率からを求めるには)
間接遷移がわからない
間接遷移・直接遷移は何によって決まるのか
完全導体(超伝導のちがい)
簡単モータ(子ども科学教室の説明)
緩和弾性率
顔料(チタン・クロム・アンチモン系)
気化潜熱と融解潜熱(水の)
機械的強度測定法(LEDチップ)
機械的性質(酸化タングステン)
貴金属(色)
貴金属(水滴の濡れ性変化)
貴金属(遷移金属との電気抵抗の違い)
規則配列(なぜランダム配列より安定か)
気体透過性(シリコーンの)
希土類磁石の結晶場
希土類イオンの蛍光スペクトルについて
基板上のシリコン(金属膜の加熱)
基板(導電体との密着性)
逆スピネルか正スピネルか(ZnMn2O4)
逆格子の参考書
、
逆圧電効果と電気歪
逆磁歪効果
キャリア生成(光吸収と)
キャリア濃度
キャリア濃度アモルファス半導体(アモルファス半導体)
キャリア濃度(金属)
、
キャリア密度の温度変化(n形およびp形半導体)
吸光係数(溶液の)
吸光度測定(のための至適濃度)
吸収(薄膜)
、
吸収係数(シリコン、水)
、
吸収端
吸収端(アモルファスシリコン)
吸収端(X線)
吸収端(とプラズマ振動数)
ギザギザ構造(からの反射光の色)
ギブスの相律
凝着を防ぐには(金型と亜鉛メッキの)
強度相関測定(光子)
強誘電体(光変調器)
強磁性体(ヤング率Eの低下:凾d効果)
強磁性体に関する質問
強磁性体(透磁率)
強誘電体(薄膜のキュリー温度)
強誘電体(誘電率)
局所表面プラズモン共鳴(LSPR)による増強(電気化学発光(ECL))
許容電流密度(アルミニウム合金薄膜)
回折格子と近接場
禁制反射(シリコンのX線回折)
金及び銀の複素屈折率
金(酸化物の作製)
金(ナノロッドの光学応答)
金(X線吸収端)
金(高周波が透過する厚み)
金(電磁界センサーによる判別)
金(透過光)
銀950(熱伝導率と熱膨張係数)
金/シリコン(ショットキーダイオード)
金色(物理的起源)
近赤外線(路面反射)
近赤外フィルタ膜の(Si基板への)蒸着
金線へのハンダ付け
金属(異常蒸発:電流導入端)
金属の色(ドルーデ則、バンド間遷移)
金属の色の物理的起源について
「金属の電子構造_触媒作用の理解のために」への質問
金属の色(貴金属)
金属と紙(拡散反射)
金属(加工時の磁化)
金属(キャリア濃度)
、
金属(吸収端とプラズマ振動数)
金属の光学定数(温度変化)
金属(接触電位差)
金属(多層膜のプラズモン)
金属(低周波における誘電率)
、
金属(屈折率)
金属(なぜ光る)
金属(なぜさびる)
金属(ITOとの密着性)
金属(粘性係数と表面張力)
金属の酸化による機械的性質の変化
金属(可視光が透過する厚み)
金属(光沢)
金属(電磁界の解析)
金属(水素吸蔵メカニズム)
金属(熱処理による物性変化)
金属(熱膨張係数)
、
金属(反射率)
金属(吸収スペクトル)
金属(金、銀、Ni、Al、Cu:反射率)
金属(反射率の温度変化)
金属(反射と表皮効果)
金属(反射,ZnとAl)
金属(比抵抗の不純物濃度依存性)
金属(光吸収)
金属(内の光吸収)
金属(太陽光を吸収して熱くなる訳)
金属(中赤外における反射)
金属(におい)
金属(反射)
金属とセラミックス(光反射特性の違い)
金属(反射率,斜め入射)
金属(斜め入射反射光の色味)
金属(半導体の合金化)
金属(半導体の電気伝導の温度変化)
金属(複素屈折率)
金属(プラズモンとバンド間遷移)
金属(有効質量)
、
金属(誘電率)
金属(誘電率の温度依存性)
金属間化合物(Fe
2
Al
5
の磁気特性)
金属間化合物(ハンダの際に生じる)
金属光沢の説明
金属薄膜(PMMAへの成膜)
金属微粒子(プラズモン励起)
、
金属微粒子(赤外光物性)
金属表面(反応性)
金属結合
金属結合について
金属結合と共有結合
金属結合の原子モデル
金属酸化物薄膜の熱膨張係数
金属材料(電気抵抗)
金属材料(マイクロ波焼結)
金属素材(高い誘電率の)
金属探針(電場変調による電磁波発生)
金属電極と半導体の合金化の結合エネルギー
金属薄膜(熱伝導率)
金属薄膜の仕事関数(膜厚依存性)
金属の反射(全反射とのちがい)
金属の誘電率(マイクロ波領域でも負になるか)
金属表面処理
金属表面(酸化による変化)
金ミラー(温度変化による変形)
金メッキ端子と半田メッキ端子の接続部
銀(固相接合)
銀(340nmに見られる反射率の低下)
銀鏡反応で作製した銀ミラーの裏表の色の違い
銀接点(に生じる硫化銀被膜)
銀薄膜の酸素透過率
銀パラジウムの物性値
銀ペースト(IH土鍋)
銀ペースト(IH鍋と)
銀ペースト(高温での)
銀メッキ(42合金)
銀メッキの色(微小ビーズ)
均等拡散反射
空間電荷制限電流について
空間電荷制限電流の温度依存性(半導体中の)
空間電荷制限電流(トラップ存在下における)
空気(熱膨張係数)
空気(小孔からのリーク)
空気(ヤング率)
空気(湿度100%の場合物性値)
空気圧による変形(密閉したプラスチック容器の)
屈折
屈折の法則(と空間の一様性)
屈折計(アッベの)
屈折率
、
屈折率(金属と絶縁体)
屈折率(高屈折率、透明物質
屈折率(シリカガラス、赤外)
屈折率(シリコン)
屈折率(ステンレス)
屈折率(チタン)
屈折率(チタン,複素)
屈折率(反射スペクトルと)
屈折率(モル吸光度から求める)
屈折率測定(光学的異方性フィルム)
屈折率測定(誤差)
屈折率分散
、
屈折率分散(シリコーンゴムの)
屈折率分散、粗表面を伴う多重干渉
クラウジウス・モソッティの式
グラニュラー磁性体(カーボンマトリックス)
グラファイト(黒鉛;加工粉について)
グラファイト(高配向性)の硬さ
グラファイト(ダイヤモンドとの違い)
グラファイト(とダイヤモンドの熱伝導)
グラファイト(点欠陥の活性化エネルギー)
グラファイトカーボン物性値
、
グラファイトの抵抗率
グラファイトの誘電率(εr)と損失角(tanδ)
クラマースクローニヒ解析
クロム[Cr](スパッタ膜の最適膜厚)
クロム[Cr](蒸着膜の反射率:アルミニウムとの比較)
クロム[Cr](降伏応力)
クロム(弾性定数の温度変化)
クロム[Cr](プラズマ周波数)
クロム鋼(磁化)
クロム・モリブデン[Cr-Mo]合金鋼SCM440の焼き戻し性能曲線
クントの実験(鉄棒を擦ると振動する理由)
群速度(光の分散と)
群論
k-空間の物理的説明
ゲート容量の温度特性(パワーMOSの)
蛍光(CrやTiドープのAl
2
O
3
の)
蛍光(石英の)
蛍光(樹脂の)
蛍光波長の励起波長依存性
形状記憶合金(TiNiの状態図)
結合エネルギー(金属電極と半導体の合金化の)
結合角(水分子の)
、
結晶(中の原子の座標・配位数)
結晶構造(真鍮)
結晶構造(単元素金属)
結晶構造(鉄-アルミ[Fe-Al]合金)
結晶成長の方位依存性(シリコン)
結晶中のポテンシャル
結晶場(希土類磁石の)
結晶歪みの評価(ラマン散乱による)
結晶面の名称(六方晶サファイヤ)
ゲート制御型トランジスタの特性
ゲルマニウム[Ge](の非放物線パラメータ)
ゲルマニウム[Ge](p型の仕事関数)
原子(の電子準位の状態数)
原子拡散をメモリ等に利用できるか
原子吸光分析装置のデータのばらつき
現像銀は何故黒いか
原子と分子(電子状態の記号)
コイルの中に磁石
コイル(磁束漏れの計算法)
コイル(近づけたときの磁性粒子に働く力)
高圧ケーブルの劣化
硬X線(軟X線とのちがい)
高圧円筒容器の軸方向ののび
高温における光学的性質(ステンレス)
硬化則(ガラスエポキシの)
光学異方性フィルム(屈折率測定)
光学異方性(とスネルの法則)
光学応答(金ナノロッド)
光学吸収係数
光学吸収端
光学遷移確率の式(半導体)
光学遅延変調法(ファラデー効果)
光学定数
光学定数(ガリウム砒素[GaAs])
光学定数(磁性ガーネット)
光学定数(酸化アルミニウムのnとk)
光学定数(モリブデン)
光学的バンドギャップ
光学バンドギャップ(ダイヤモンド微結晶・アモルファスカーボン混相の)
光学特性(カーボンブラック)
光学薄膜(透過率)
光学薄膜(反射)
光学フィルタ膜をコートした水晶板
光学ローパスフィルタ用
、
合金の仕事関数
工具鋼SKD11(電気抵抗率と硬度)
高屈折率透明物質
光子(強度相関測定)
光子(と電波)
光軸の見つけ方(UV-LED)
鋼材(硬度測定)
格子面間隔
格子定数(鉄の相変態)
高周波特性(超伝導体)
構造色(昆虫)
構造複屈折
光速
、
光速(物質中,波長依存性)
高速応答性(磁気分極)
光弾性定数の単位
光電子分光(コヒーレント部分とインコヒーレント部分)
光伝導(酸化チタンTiO2 1)
光伝導(酸化チタンTiO2 2)
光伝導スイッチ(とストリップラインの静電容量)
光伝導スペクトル(シリコン)
光伝導スペクトル(なぜ測定するのか)
光伝導について
、
光伝導の測定
光電流(pn接合)
硬度(γアルミナAl2O3)
硬度(工具鋼SKD11の)
硬度(窒化珪素)
硬度(ビッカース)(窒化珪素,酸化珪素,バナジウム)
硬度測定(鋼材の)
光電変換材料
高濃度ドープ半導体(活性化エネルギー)
コバールの物性値
高配向性グラファイト(HOPG)の硬さ
高比透磁率材料(厚さと磁気飽和、飽和磁束密度の関係)
降伏応力(クロム)
降伏応力(ニッケル)
鉱物の発光(温度依存性)
高分子の異方性(延伸した・・)
高分子材料(電気伝導の界面支配とバルク支配)
黒鉛(ダイヤモンドとの色のちがい)
黒鉛(グラファイト:加工粉について)
黒色(塗料)
五酸化タンタル[Ta2O3](ヤング率)
固相接合(銀)
子ども科学教室の説明(紙おむつ、バネ電話、簡単モータ)
コバール(と78パーマロイのシート抵抗)
コバルト(αとβ)
コバルト・クロム膜(イオン照射した膜のMsとTcの変化)
、
コバルト,鉄,ニッケル(なぜ磁石の材料になる)
コバルト置換YIG
コヒーレンス長(太陽光の)
ゴム(カーボン粒子を含む)の誘電損失
固有振動数(鉄の)
、
固有振動モード(アンモニア)
コランダム(ヤング率の温度依存性)
コロイド結晶の作製(電気泳動法による)
混合攪拌時にホイップクリーム状になる理由
質問#1125(混合攪拌時にホイップクリーム状になる理由)へのコメント
混相のX線回折
昆虫(構造色)
コンデンサ(誘電体を含む)
、
サ行
サ
シ
ス
セ
ソ
細線に大きな電流を流すと切れるわけ
サイズモ式ピックアップ
差動形固定検光子法(磁気光学効果測定)
さびる(金属)
サファイア(エッチャント)
サファイア(850℃までの高温特性)
サファイア(単結晶のX線回折)
サファイヤ板(複屈折)
サファイアガラス
サブバンド間(プラズモン)
酸化亜鉛[ZnO](圧電性)
酸化亜鉛(ZnO)(A励起子)
酸化亜鉛[ZnO](n型の起源)
酸化亜鉛[ZnO](自由励起子発現の機構)
酸化亜鉛[LIF法によるPLD過程の解析]
酸化亜鉛[ZnO](赤外吸収)
酸化亜鉛[ZnO](透明導電膜)
酸化亜鉛[ZnO](薄膜の応用性)
酸化亜鉛[ZnO](フォトルミネッセンス)
酸化亜鉛[ポーラス](発光)
酸化亜鉛[ZnO]の光化学反応成長のための基板について
酸化アルミニウム(nとk)
酸化アルミニウムポリマー
酸化珪素[SiO
2
](Sbの拡散)
酸化スズナノワイヤ(電極への移送方法)
酸化チタン粉末(熱処理による色の変化)
酸化鉄と鉄(比透磁率)
酸化物半導体(酸素空孔がドナーになる理由)
酸素透過率(銀薄膜の)
酸素透過率(有機材料)
酸素の不定比性の定量(酸化物焼結体)
酸素プラズマ中の石英の帯電
3dx
2
-y
2
、3dz
2
軌道の名前の由来
酸の水溶液の誘電率
散乱寿命(白金[Pt]自由電子の)
CDの虹色
、
CIS太陽電池におけるCdSの役割
、
CRS1010(比透磁率)
CVDと真空
、
CVDラジカルの平均自由行程
CVD膜のエリプソメトリ
シート抵抗
、
シート抵抗(透過率との関係)
シート抵抗(ITO/PET基板の酸による劣化の評価に使うわけ)
シート抵抗(コバールとパーマロイ)
シェラーの式について
塩の結晶と不純物
「塩の結晶と不純物」へのコメント
示温塗料
磁化(金属加工時の)
磁化(クロム鋼)
磁化の変化と磁気特性の変化(圧力印加による)
磁化率の温度変化(二次元正方格子)
磁化率(フェリ磁性体)
磁界(オシロスコープ)
磁界中での化学反応
質問#1129「磁界中での化学反応」へのコメント
紫外線(水中での減衰)
、
紫外線LED
紫外線吸収スペクトル(水の)
磁気異方性物質に旋光性が発現する理由
磁気(電気分極に対応する概念はあるか)
磁気異方性[鉄単結晶]の図の出典
磁気インピーダンス(MI)効果
磁気エネルギー(カーボンナノチューブ)
磁気光学効果(TiO2の)
1377.磁気光学入門第4回への質問
磁気光学効果(磁場の効果)
磁気光学効果(測定)
、
磁気光学効果測定(差動形固定検光子法)
磁気光学測定(PEMを用いた測定における楕円率の膜厚依存性
磁気光学効果の測定
磁気光学(測定系)
磁気光学(複素屈折率)
磁気光学効果(測定法)
磁気光学スペクトル(CoCrPt)
磁気光学効果(測定)
磁気光学効果(反強磁性体)
磁気光学スペクトル(常磁性極限から導いた)
磁気光学スペクトル(光入射方向依存性:磁性ガーネット)
磁気テープの層厚と入出力特性
磁気特性(鉄2アルミ5[Fe
2
Al
5
]金属間化合物)
磁気抵抗効果(負の)
磁気複屈折(ガラスの)
磁気分極(高速応答性)
磁気分離技術(超伝導)
色覚について
色彩の見え方
、
色素増感(太陽電池)
色素増感太陽電池(対極の役割)
磁区観察(微細規則配列格子のある時)
、
磁区観察(方向性鋼板)
磁区と結晶粒
、
磁区像と磁壁(ファラデー効果)
仕事関数(ITO)
仕事関数(アルミニウム合金)
仕事関数(合金の)
仕事関数(制御)
仕事関数(金属薄膜;膜厚依存性)
仕事関数(タンタルの)
仕事関数(ニオブ酸リチウム(LiNbO3), タンタル酸リチウム(LiTaO3))
仕事関数(p型ゲルマニウムの)
磁石にかかる力
磁石の材料(ニッケル,コバルト,鉄はなぜ)
磁心材料の具備条件
質量(空気と水の)
磁性(無電解めっきニッケル・リン膜の)
磁性ガーネット(エリプソメトリで測定した屈折率の磁界依存性)
磁性ガーネット(光学定数)
磁性ガーネット(磁気光学スペクトルの光入射方向依存性)
磁性材料(相転移)
磁性材料(身近にある)
磁性体(比熱)
磁性薄膜の光学測定
磁性薄膜製膜時の飽和磁化モニター(縦カー効果)
磁性半導体(最近の話題)
磁性微粒子の高周波特性
磁性フォトニック結晶1
、
磁性フォトニック結晶2
、
磁性フォトニック結晶における光局在
磁性粒子に働く力(コイルを近づけたときの)
自然光学活性
自然酸化膜につて
磁束漏れの計算法(コイル)
磁場(電磁波中の)
磁場(ルミネセンス)
至適濃度(吸光度測定のための)
磁壁(ピニング効果)
1/4波長板の偏光状態
シマウマの皮膚の導電率と誘電率
シャボン玉の物理
シャフトの輸送中の磁化
自由励起子発現の機構(酸化亜鉛[ZnO])
10円銅貨の汚れ落とし
重金属の汗への排出
樹脂(蛍光)
16進数
、
周波数分散(誘電率)
、
周波数分散(有機溶媒の誘電率;)
樹脂封止での金属の強度
酒石酸単結晶
シュブニコフ・ドハース(SdH)振動
、
縮退半導体の静電遮蔽効果
縮退半導体は光るか
樹脂の難燃剤
樹脂封止での金属の強度
準定常電流近似と変位電流
順方向電流-電圧特性(pn 接合ダイオード)
ショアーの硬さ
、
ショアー硬度(モース硬度を換算出来るか)
状態図(Ti-Ni形状記憶合金)
状態図(焼結法と)
焼結体のEPMA分析
、
焼結体の粒径(モリブデン)
焼結法(と状態図)
消光係数
消光係数(仮想屈折率法における負の)
消光係数(シリコン)
消光係数の温度依存性(シリコン、波長1310nmにおける)
消光係数の意味
蒸着(母材と金属の密着メカニズム)
焼鈍材と圧延材(Al)
消滅則(X線回折)
、
食品安全性(18-8ステンレス)
ショットキー障壁を作る金属
ショットキー障壁高さ(ボイドの影響)
ショットキーダイオードのI-V特性
ショットキーダイオード(金/シリコン)
ショットキーダイオード(Pd/Ge)
ショットキーダイオード(P形半導体の)
金属の種類とショットキー接合
シリカ(エネルギー準位図)
シリカガラスの赤外屈折率
シリコーン(気体透過性)
シリコーンオイル(DSC曲線の解釈)
シリコーンゴムの屈折率分散
シリコーンゴムの耐腐蝕性
シリコン・アルミニウム[Si-Al]コンタクト
シリコン・ウェハー(PN反転、抵抗値)
シリコン(インゴットのρb値の計算法)
シリコン(ウェハーの赤外線スペクトル)
シリコン(硬さ)
シリコン(基板上の金属膜の加熱)
シリコン(屈折率)
シリコン(屈折率と消光係数)
シリコン(形態の違うSiの物性値)
シリコン(結晶とアモルファスの活性化エネルギー)
シリコン(結晶成長の方位依存性他)
シリコン(研削粉のpn分離)
シリコン(研磨発生時の物質の処理)
シリコン(光伝導スペクトル)
シリコン(純度)
シリコン(1000℃における物性値)
シリコンの量(太陽電池作製に必要な)
シリコン(直接バンドギャップ)
シリコン(ドーピングによって色は変わるか)
シリコン[Si](単結晶の線膨張係数)
シリコン(化学処理後の高濃度ドープシリコンに見られる不動態膜)
シリコンと石英ガラス(破壊靱性度)
シリコン[Si](Si/SiO2/air構造における発光の反射)
シリコン(光の吸収係数)
シリコン(高温における比抵抗)
シリコン(と同等の熱膨張をもつ金属)
シリコン(熱酸化膜形成によるシリコンの消費)
シリコン(酸化厚膜の用途)
シリコン(ドーピング)
シリコン(マイクロ波誘電率と誘電損失)
シリコン(曲げ応力)
シリコン(ヤング率の温度依存性)
シリコン(誘電関数)
シリコン(ラマン散乱)
シリコン(ランプ加熱)1
シリコン(ランプ加熱)2
シリコンウェハ(ランプ加熱)
シリコンウェハー(光透過)
シリコン/アルミニウム(I-V特性)
シリコンナノドットの発光寿命
じりじり感(1312. 太陽光線の)
シロキサンの吸着率(金属・樹脂に対する)
シロキサン(水への溶解度)
磁歪について
真空蒸着中の真空度低下
真空蒸着の最適蒸着速度
真空中での水の凝固
真空にするわけ
真空の耐電圧
真空の導電率
真性半導体(活性化エネルギー)
伸縮性(ポリブタジエン)
靱性(溶接影響部)
シンチレーションカウンタ用のオプティカルセメント
真鍮(結晶構造)
真鍮板(反り)
真鍮(密度)
侵入長(半導体への励起光の)
侵入長の波長依存性(光・X線)
侵入深さ(X線)
スイッチ部材(ステンレスの導入)
水晶(厚み測定:屈折率による)
水晶(剪断弾性係数)
水蒸気の比誘電率
水素吸蔵メカニズム(金属)
水素焼鈍(パーマロイの)
水中の電波伝搬
垂直反射の位相の式
水分センサ(土壌)
スズの高温でのふるまい
スチール缶
、
スチール缶とアルミ缶
ステンドグラスの色(プラズモン電場増強効果)
ステンレス(屈折率)
「ステンレスの屈折率」へのコメント
ステンレス(高温における光学的性質)
ステンレス(18-8)(食品安全性)
ステンレス(スイッチ部材への導入)
ステンレス(酸化スケールの剥離と腐食)
ステンレス(線膨張係数)
ステンレス(低温特性)
ステンレス(なぜ磁石につかないか)
ステンレス(不動態の抵抗)
ステンレス(反射率の温度変化)
ステンレス(琺瑯)
ステンレス(マルテンサイト量の評価)
ステンレス鋼(耐酸性)
ステンレス鋼(オーステナイトの脆性)
ステンレス(SUS316の熱膨張)
ステンレス材(SUS321溶接後の磁化)
ステンレス(SUS404の物性値)
ステンレス鋼(焼け)
ステンレス球(酸化方法)
ストークスパラメータ(S3の符号)
ストリップラインの静電容量(光伝導スイッチ)
ストロンチウムフェライトの物性値
スーパーボールがドアの動きを止める
スネルの法則(光学異方性と)
スパッタクロム膜の最適膜厚
スパッタ(装置の電源の極性)
スパッタ(成膜速度とガス圧の関係)
スパッタ膜(Fe)
スピネルフェライト
スピン演算子の固有値問題
スピン注入(メカニズム)
スピン偏極(光学的測定)
スピンギャップ
スピン依存平均自由行程
スピン流(非局所配置)
スペクトル幅(レーザ高調波)
スペクトル幅(干渉縞)
正スピネルか逆スピネルか(ZnMn2O4)
制振メカニズム
脆性(オーステナイトステンレス鋼)
青銅の相と光学的性質
石英ガラス(シリコンの破壊靱性度)
石英ガラス(耐薬品性)
石英ガラス(緑色発光)
石英セル(分光光度計用)
石英の蛍光
石英ファイバーとシリカファイバーの違い
石英ファイバーの赤外吸収特性
赤外光物性(金属微粒子)
赤外透過光学材料
赤外透過率(を用いたガス濃度定量)
赤外吸収(酸化亜鉛ZnO)
赤外吸収(石英ファイバー)
赤外吸収とラマン散乱(反転対称のある系)
赤外吸収(プラスチック)
赤外透過率(カーボンの)
赤外分光特性(豚レバー)
赤外特性(ガラスの)
赤外線スペクトル(シリコンウェハーの)
赤外線用光チョッパー
赤外線透過材料(人体からの)
赤外透過光学材料
脆性材料(延性モードでの切削)
整流作用
絶縁耐圧(エポキシ樹脂)
接合(銅とアルミナ基板の)
接合(ダイヤモンドとアルミナ)
接触角(水滴;表面モルフォロジー依存性)
接触電位差(金属)
接触電位差(異種金属の)
接地用のSUS板
絶縁性(誘電体)
絶縁体(光吸収)
、
絶縁体(バンドギャップ)
接着(物質の)
セナルモン法の数式による説明
セラミクス(マイクロ波焼結)
セラミクス(スパッタ成膜速度とガス圧の関係)
セラミックス(発光)
セラミック(マイクロ波透過)
セラミックス(誘電率の温度依存性)
閃亜鉛鉱型GaNの熱膨張係数
旋光性(トレハロースの立体構造)
旋光性(磁気異方性物質)
遷移金属(貴金属との電気抵抗の違い)
遷移金属錯体(磁化率への軌道角運動量の寄与)
選択エッチング(Mn5Ge3)
選択的光吸収材
剪断弾性係数(水晶)
全反射と金属の反射のちがい
線膨張係数(アルミニウム)
線膨張係数(温度変化)
線膨張係数(シリコン単結晶)
線膨張係数(ステンレス)
全微分を偏微分を使って表す式
相図の見方
相転移温度(HoFeO3)
相転移と光学的性質の変化(二酸化バナジウム)
相変態(鉄)
相変態について
束縛励起子(束縛する力)
ソフトフォノン
ソーラーパネル(発光するか)
タ行
タ
チ
ツ
テ
ト
耐食性(タンタルとPTFEの比較)
ダイヤモンド(応力誘起直接遷移)
ダイヤモンド(アルミナとの接合)
ダイヤモンド(加熱ATRの高温特性)
ダイヤモンド(結晶末端の価電子状態)
ダイヤモンド(グラファイトとの違い)
ダイヤモンド(とグラファイトの熱伝導)
ダイヤモンド(黒鉛との色のちがい)
ダイヤモンド(点欠陥の活性化エネルギー)
ダイヤモンド(微結晶・アモルファスカーボン混相の光学バンドギャップ)
ダイヤモンド(熱膨張係数)
ダイヤモンド(光の屈折と輝き)
ダイヤモンド(光の浸入長, バンドギャップ以下の)
耐酸性(ステンレス鋼)
耐電圧(真空の)
帯電(テフロン)
帯電(酸素プラズマ中の石英の)
太陽電池(アモルファス,pin構造)
太陽電池(CISセルにおけるCdSの役割)
、
太陽電池(温度上昇による効率低下)
太陽電池(作製に必要なシリコンの量)
太陽電池(材料に関する質問)
太陽電池(色素増感)
太陽電池(低温特性)
太陽電池(パネル)
太陽電池(分光感度の光バイアス依存性: 薄膜シリコン)
太陽電池(理論的最大変換効率の導出法)
太陽電池設計(光生成キャリアの計測)
太陽電池の本
太陽光のコヒーレンス長
太陽光発電パネル(地デジ受信に影響するか)
太陽光パネル(反射)
楕円率の膜厚依存性(PEMを用いた磁気光学測定における)
多結晶シリコンの抵抗率のばらつき
1035. 「多元合金」の英訳
多重反射と干渉(薄膜の反射率)
多重干渉(吸収性物質における)
多重干渉(屈折率分散、粗表面を伴う)
縦カー効果(磁性薄膜製膜時の飽和磁化モニターに使えるか)
縦カー効果(PEMを用いた測定のセットアップ)
弾性定数の温度変化(クロム)
弾性定数(数値計算)
炭化チタンTiC(格子定数)
炭化チタンTiC(組成比と格子定数)
タングステン(複素屈折率)
単結晶と多結晶(強磁性体の磁化)
単元素金属(結晶構造の起源)
炭酸ガス(CO2)レーザ集塵(アクリル回収率)
炭素(蒸気に侵される訳)
炭素の性質
、
炭素の加熱(電子レンジによる)
、
炭素の加熱(マイクロ波加熱)
「炭素のマイクロ波加熱」(Q179)への質問
炭素の物性値(グラファイトカーボン)
炭素鋼(熱膨張係数)
1276. 炭素繊維の比誘電率と比透磁率
炭素繊維複合材料の透磁率
炭素繊維(繊維方向に垂直の物性値)
炭素粒子(カーボン粒子を含むゴムの誘電損失)
単層カーボンナノチューブ(磁気光学特性)
断線(電子部品の硫化による)
田んぼのひび割れ
タンタルとPTFE(耐食性の比較)
タンタルの仕事関数
Ta
2
O
5
薄膜
タンタル酸リチウム(仕事関数)
縦波弾性率とヤング率
弾性(酸化珪素[SiO
2
]の)
弾性係数(塩化ビニール)
弾性係数測定の誤差
断熱性(ウェットスーツのコア素材)
断熱消磁冷却(電場バージョンはあるか)
窒化ガリウム[GaN](抵抗率の基板による違い)
質問#1061「窒化ガリウム(GaN)の抵抗率の基板による違い」へのコメント
窒化ガリウム[GaN](放射率)
窒化ガリウム[GaN](ヤング率)
窒化ガリウム[GaN](p型, オーム性接触)
窒化ガリウム[GaN](Mgドープ)
窒化珪素(硬度)
窒化珪素,酸化珪素,バナジウム(ビッカース硬度)
窒化珪素(合成法)
Ti-Ni形状記憶合金(状態図)
チタンの拡散係数(アルミニウム中の)
チタンの屈折率
チタンの複素屈折率
チタンカーバイドTiC(格子定数)
チタン・クロム・アンチモン系の顔料
チタン酸バリウム[BaTiO3](多結晶の比誘電率)
チタン酸バリウム(薄膜研究の意義)
チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム(バンドギャップ)
チタン酸バリウムストロンチウム((Ba
0.7
Sr
0.3
)TiO
3
)(ヤング率、ポアソン比)
着色(ITOの熱処理による)
チャンバークリーニング(プラズマCVD)
柱状構造(薄膜の)
、
中赤外(金属の反射)
中炭素鋼(熱膨張係数)
超音波の速度
、
超音波反射率(シリコン)、
超硬合金の英訳
超伝導ギャップとスピンギャップ
超伝導体(高周波特性)
超伝導(磁気分離技術)
超伝導体の浮上
直接バンドギャップ(シリコン)
通電性(無機材料の)
DSC曲線(シリコーンオイル)
DVD-RAM記録層はAFMで観察できるか
DVD-RAM材料の結晶工学
データのばらつき(熱電対による温度測定)
TEM波(導波管にを入射するとどうなるか)
TEM 波と静電磁界
TMR(MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由)
低温特性(ステンレス)
低温特性(太陽電池)
抵抗率(グラファイトの)
抵抗率(銅の液体ヘリウム温度における)
鉄[Fe](固有振動数)
鉄[Fe](相変態)
鉄[Fe], ニッケル[Ni], コバルト[Co](なぜ磁石の材料になる)
鉄[Fe](磁石の導電性)
鉄[Fe](スパッタ膜)
鉄[Fe](バルクと薄膜の磁化の差異)て
鉄-アルミ[Fe-Al](金属間化合物の物性値)
鉄2アルミ5[Fe
2
Al
5
](金属間化合物の磁気特性)
鉄-アルミ[Fe-Al](合金の結晶構造)
鉄(InPを半絶縁性にするわけ)
鉄単結晶[磁気異方性の図の出典]
鉄と酸化鉄(比透磁率)
鉄ニッケル[Fe-Ni]合金の飽和磁束密度
鉄[Fe]・銅[Cu]・真鍮[Cu-Zn]の密度
鉄心材料
デバイ温度(1次元格子)
、
デバイ温度(と結合力)
デバイ温度(と物理量の関係)
テフロンの帯電
凾d効果(強磁性体のヤング率Eの低下)
テルル化カドミウム(CdTe)の電析について
テルル化ビスマス(Bi
2
Te
3
)の誘電率
テルル化ビスマス(屈折率と硬度)
電荷移動による光吸収構造(ZnS:Cu
2+
)
電荷移動型吸収(バンドギャップの求め方)
電界によるバンド間励起
電気泳動法によるコロイド結晶の作製
電気化学発光(ECL)(局所表面プラズモン共鳴(LSPR)による増強)
電気抵抗熱劣化(焼結金属材料)
電気分解電圧(アンモニウム)
電気分極(磁気に対応する概念はあるか)
電源電圧の作り方によるトランス出力の違い
電気抵抗(貴金属と遷移金属の違い)
電気抵抗(温度係数測定の実験データ処理)
電気抵抗の低温における温度依存性(白金(Pt))
電気伝導の温度変化(金属と半導体)
電気伝導度(バンドの広さとの関係)
点欠陥の活性化エネルギー(グラファイトとダイヤモンド)
点電荷(運動する点電荷の式の金属中に適用)
電子緩和(バンド励起後の)
電子状態の記号(原子と分子)
電子レンジ(円筒型)
電子レンジ(炭素の加熱)
電子レンジ(水の加熱の原理)
電磁波エネルギー収支(誘電体内部での)
電磁波による非破壊検査
電磁波遮蔽効果(比誘電率・比透磁率との関係性)
電磁シールドにゴムは使えるか
電析膜の吸収
電析膜の光学的バンドギャップ
電波(光子とのちがい)
電波透過性(プラスチックの)
電磁界解析(金属)
電磁界センサー(金の判別)
電磁制動(渦電流による)
電磁石(先端をしぼった)からの磁場
電磁誘導と磁石
電磁波の電界測定
電磁波中の磁場
電磁波(プラズモンの結合)
電磁誘導の起源(なぜコイルの中に磁石を入れるだけで、電気が生じるのですか)
電波伝搬(水中の)
電磁波発生(電場変調による金属探針からの)
伝熱面積(熱交換器)
電場増強効果(プラズモン)
電流導入端子(金属の異常蒸発)
電気を流しにくい物質
銅とアルミナ基板の接合
銅とエポキシ(比誘電率と比透磁率)
銅の抵抗率(液体ヘリウム温度における)
透過(X線と光)
透過性(ITO,可視光)
透過性(赤外線とX線の)
透過率(アクリルの可視光での)
透過率(カーボン、赤外)
透過率(光学薄膜)
透過率とシート抵抗
ドーピング(シリコンの色は変わるか)
ドーピング(シリコンへの)
ドーピング(半導体, ラマンスペクトル)
ドーピング(La-BaZrO3)
透湿性(プラスチック)
透磁率(強磁性体)
透磁率(炭素繊維複合材料)
透磁率(骨)
透明磁性体
透磁率が1でない物質の誘電率測定
、
塗料の白色・黒色
、
導電体(基板との密着性)
導電率(真空の)
土壌(水分センサ)
トランジスタの破壊(逆バイアスでの)
トランジスタ(ゲート制御型)
トランジスタの電流増幅の仕組み
ドルーデ則(金属の色)
ドルーデの式(定数項)
トレハロースの立体構造と旋光性
トンボの眼の紫外線視感度
ナ行
ナ
ニ
ヌ
ネ
ノ
ナイロン(黄変)
ナイロン製品(液体燃料にリサイクルできるか)
ナトリウムターシャルプトキサイドの物性
斜めギザギザ構造(からの反射光の色)
斜め入射の反射(複素数の屈折角)
斜め入射反射(金属、反射光の色味)
斜め入射の反射(プリズムから金への)
斜め入射反射率(PMMA)
斜め入射反射(位相の飛び)
ナノ結晶シリコン(発光メカニズム)
ナノスケール・シリコン(誘電率)
ナノ粒子の液相分離
ナノ粒子の光反射
ナノ粒子の堆積(電圧印加による)
ナノ領域(物性値の適用限界)
ナノロッド(金, 光学応答)
鉛の密度
鉛フリーハンダ(ヤング)
鉛フリーはんだAuSn4のヤング率
軟X線(硬X線とのちがい)
軟鋼(表面張力)
軟鋼(物性値)
難燃剤(樹脂の)
におい(金属の)
ニオブ酸リチウムの物性値
ニオブ酸リチウム(仕事関数)
2光子吸収(二次非線形分極率との関係)
2光子吸収(減衰率)
二酸化炭素の自然界での分解
二酸化珪素と炭素の誘電率
二酸化バナジウム(相転移と光学的性質の変化)
二次元正方格子(磁化率の温度変化)
二色性偏光子について
ニッケル(降伏応力)
ニッケル(透磁率の周波数特性)
ニッケル亜鉛フェライト(飽和磁化)
ニッケル,コバルト,鉄(なぜ磁石の材料になる)
ニッケル酸化膜の用途
ニッケルメッキの酸化
ニッケル・リン(無電解めっき膜の磁性)
尿素(アルミニウム容器での保存)
ぬれ上がり(半田)
濡れ性
濡れ性変化(貴金属上の水滴の)
ぬれた石はなぜ黒い
ぬれた砂が黒いわけ
ネオジム磁石(アルミニウム板上での運動)
熱間押出アルミニウム(スジ状欠陥の色の見え方)
熱交換器伝熱面積
熱サイクル(ハンダの物性変化)
熱収縮
熱処理による色の変化(酸化チタン粉末)
熱設計(ハイブリッドIC)
熱線遮断塗料
熱線遮断塗料(ATO, CeB6を用いた)
熱測定の際のダミーの選定基準
熱抵抗について
熱電効果について
熱電効果の論文の式の意味
熱電対による温度測定(データのばらつき)
熱伝導(ダイヤモンドとグラファイトの)
熱伝導と誘電率
熱伝導率
熱伝導率と熱膨張係数(銀950)
熱伝導率(アクリルの)
熱伝導率測定(アルミニウムの)
熱伝導率(エポキシ)
熱伝導率(黄銅,温度係数)
熱伝導率(金属薄膜)
熱伝導率(ポリロンフィルム)
熱伝導率(ろう材)
熱伝導性のよいポリエポキシのエステル糸
熱膨張係数
熱膨張係数(アクリルの)
熱膨張係数(空気の)
熱膨張係数(金属の)
熱膨張係数(CrとITOの)
熱膨張係数(金属酸化物薄膜)
熱膨張係数(ステンレスSUS316の)
熱膨張係数(閃亜鉛鉱型GaN)
熱膨張係数(ダイヤモンドの)
熱膨張係数(中炭素鋼)
熱膨張係数(粉末試料の)
熱膨張(鉄、アルミ、ステンレスの)
熱膨張(シリコンと同等の熱膨張をもつ金属)
熱輸送(エアロゲル)
燃焼管(内で使えるミラー材料)
粘性係数(金属の)
粘性の温度変化(水の)
粘度(液化二酸化炭素の)
濃度(誘電率との相関)
ノルトハイムの法則
ハ行
ハ
ヒ
フ
ヘ
ホ
BaFe12-2xCoxTixO19(磁気物性)
バイオセンサー(表面プラズモン共鳴)
、
配管リーク(の許容値)
ハイブリッドICの熱設計
ハイパーラマン散乱(水の配向とフォノンの関係)
パイプコイル(加振試験)
バイポーラトランジスタのh
FE
(=Ic/Ib)の温度依存性
配向性
破壊靱性度(シリコンと石英ガラスの)
はがね[鋼]撚り線の引っ張り強度
白金黒
白金[Pt](なぜ自由電子の散乱寿命は短いのか)
白金(Pt)(電気抵抗の低温における温度依存性)
白色
白色LEDについて
白色で近赤外吸収のある酸化物
薄膜干渉色除去(ウェーハの)
薄膜(吸収)
、
薄膜(磁性薄膜の光学測定)
、
薄膜(反射率)
薄膜シリコン太陽電池(分光感度の光バイアス依存性)
蛍光(石英)
発光(石英ガラス:緑色)
発光(セラミックス)
発光するか(ソーラーパネル)
発光(励起子)
発光スペクトル(温度依存性のない)
発光(の温度依存性:鉱物)
発光ダイオード(LED)(発光の原理)
発光メカニズム(ナノ結晶シリコン)
波長板(偏光状態)
発電の原理
発熱効果(光照射)
波動性(光)
、
バーチ・マーナガン(Birch-Murnaghan) の状態方程式
、
ハーフメタル
、
バネ電話(子ども科学教室の説明)
パーマロイ(コバールのシート抵抗)
パーマロイ(水素焼鈍)
パラジウムの表面の曇り
bulk thermal conductivity(日本語訳)
パルスレーザ堆積(PLD)過程[酸化亜鉛;レーザ誘起蛍光(LIF)法による解析]
パワーMOSのGate容量の温度特性について
パワー半導体(伝導度変調)
反強磁性体(磁気光学効果)
反磁性(磁化率)
反射(位相のずれ)
反射(斜め入射,位相の飛び)
反射の偏光性(粗さのある金属表面)
反射(円偏光)
、
反射(拡散)
、
反射(金属微粒子)
、
反射(金属,ZnとAl)
反射(金属、中赤外)
反射(Si/SiO2/air構造におけるSi発光の)
反射(光学薄膜)
反射(垂直入射:位相の式)
反射(太陽光パネル)
反射(斜め入射:プリズムから金への)
反射(ぬれた石)
反射(路面)(近赤外線)
反射光の色(斜めギザギザ構造からの)
反射スペクトル(と屈折率)
反射防止(モスアイ構造による)
反射率(ITO, キャリア密度と)
反射率(アルミニウム)
、
反射率(アルミニウム、高い反射率の原因)
反射率(アルミニウム、反射率のディップ)
反射率(アルミニウム、UV)
反射率(アルミニウム,入射角による変化)
反射率(温度変化、金属)
反射率(吸収が強いときの)
反射率(金属)
反射率(金、銀、Ni、Al、Cu)
反射率(金属,斜め入射)
反射率(銀の340nmに見られるの低下)
空気/金/ガラスの反射率
反射率(シリコンウェハー、斜め)
反射率(金属の表面粗さとの関係)
反射率(振幅反射率とエネルギー反射率)
反射率(の温度変化;ステンレス)
反射率(多層膜)
反射率(薄膜)
反射率(宝飾用合金)
反射率(マンセル明度と)
反射率(モリブデン)
反射率測定(裏面反射防止)
半絶縁性GaAsの電流電圧特性
半絶縁性(InP中の鉄)
ハンダ付け(金線への)
ハンダ(熱サイクルによる物性変化)
ハンダ(生じる金属間化合物の融点)
半田メッキ
半田メッキ端子(金メッキ端子との接続部)
半田(ぬれ上がり)
半田の高さ
半田(融点における抵抗率変化)
パンチスルー現象
反転対称のある系(赤外吸収とラマン散乱)
半導体(温度変化キャリア密度の温度変化)
半導体(活性化エネルギー;高濃度ドープ)
半導体(光学現象の量子力学)
半導体(光学遷移確率の式)
半導体(ドーピングとラマンスペクトル)
半導体(非線形電流電圧特性)
半導体(フェルミ準位はなぜ禁制帯の真ん中に来るか)
半導体(誘電率)
半導体(励起光の侵入長)
半導体の実験についての質問
半導体素子(温度依存性)
半導体金属複合材料の光吸収
半導体プロセス(異物付着)
半導体レーザ(電流−光強度特性)
バンドの広さ(電気伝導度との関係)
バンド間遷移(金属のプラズモンとの関係)
バンド間励起(電界による)
バンドギャップ(温度依存性)
バンドギャップ(GaAs, GaP)
バンドギャップ(シリコン直接)
バンドギャップ(絶縁体)
バンドギャップ(チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム)
バンドギャップ(電荷移動型吸収における)
バンドギャップ(フラーレンポリマー)
バンドギャップ(密度汎関数理論と)
バンドギャップ推定(励起子吸収がある場合)
バンド理論について
バンド励起後の電子緩和
反応性(金属表面)
半波長板
反発係数(硬さと)
反発係数の算出
PEMを用いた磁気光学測定における楕円率の膜厚依存性
PLD過程[酸化亜鉛;レーザ誘起蛍光(LIF)法による解析]
PMMAの吸光係数
PMMAへの金属薄膜の成膜について
PMNZT(MOD成膜)の表面モルホロジー
pn接合(拡散電位; 電池として利用できるか)
pn接合(光電流)
pn 接合ダイオード(順方向電流-電圧特性)
pnダイオードの抵抗制限電流領域
p形半導体(キャリア密度の温度変化)
砒化ガリウム[GaAs](電子線励起プラズマの光学的観察)
比透磁率(鉄と酸化鉄)
p型GaN(オーム性接触)
PZTのエッチャント
PZT(MPB(相境界)の結晶構造と物性)
PTFEとタンタル(耐食性の比較)
光(光子と電波)
、
光(光伝導)
、
光(波動性と粒子性)
、
光起電力(円二色性)
光吸収(汗の分析は可能か)
光吸収(金属内の)
光吸収(金属による)
光吸収(とキャリア生成)
光吸収(絶縁体)
、
光吸収(熱発生)
光吸収(薄膜)
、
光吸収(半導体金属複合材料)
光吸収係数(亜鉛)
光生成キャリアの計測(太陽電池設計に役立つ理由)
光のエネルギーの吸収・損失
光の屈折
光の屈折の法則(空間の一様性)
光の屈折(とダイヤモンドの輝き)
光散乱と回折
光散乱と微粒子のサイズ
光散乱と吸収
光触媒
光触媒について
光照射(発熱効果)
光の浸入長(ダイヤモンド, バンドギャップ以下の)
光測定(磁性薄膜)
、
光チョッパー(赤外線用)
光透過(シリコンウェハー)
光の伝搬(誘電体中の)
光の伝播(異方性結晶中の)
光反射(ナノ粒子の)
光の伝搬
光の分散と群速度
「光と磁気」(質問1)
、
「光と磁気」(質問2)
、
「光と磁気」(質問3)
、
「光と磁気」(質問4)(プラズマエンハンスメントについて)
、
「光と磁気」への質問5(
誤植
の指摘
)
「光と磁気(改訂版第1刷)」第4章の誤植訂正
光と磁気第4章4.3についての質問
「光と磁気(改訂版)」付録Cの式の導出
、
光バイアス依存性(薄膜シリコン太陽電池の分光感度)
光反射特性(金属とセラミックスの違い)
光ファイバ(レイリー散乱)
、
光変調器(強誘電体)
非局所配置(純スピン流)
微細規則配列格子
非磁性の絶縁体(ファラデー効果)
ヒステリシス(カー楕円率による)
ヒステリシス損失の熱化メカニズム
非接触
、
非線形カー効果転
、
非線形屈折率(水の)
非線形光学特性の評価法
非線形磁気光学
非線形性(豆電球の)
非線形磁気光学テンソル
非線形回路(重ね合わせの理が成立しない理由)
非線形分極率と2光子吸収との関係
ビッカース硬度(窒化珪素,酸化珪素,バナジウム)
比抵抗(グラファイトの)
比抵抗(シリコンの高温における)
比透磁率(塩化ビニール)
比透磁率(CRS1010)
比透磁率(プラスチック)
比透磁率と比誘電率(銅とエポキシ)
比透磁率(膜厚依存性)
比熱
比熱(磁性体)
比熱(温度依存性(水の))
比熱(複合材料)
比熱(プロピレングリコール)
ピニング効果(磁壁)
非破壊検査(電磁波による)
非平衡結晶成長(MBE)
非放物線パラメータ(Geの)
微分スペクトル(分光分析における)
比誘電率
比誘電率と比透磁率(銅とエポキシ)
比誘電率の小さな物質
標準白色板を参照試料とした分光反射率測定
標準電極電位(金より高い標準電極電位をもつ金属)
表皮効果と金属の反射
表皮効果とリアクタンス
表皮効果のシミュレーション
表面エネルギー
表面プラズモン(金属薄膜の)
表面温度測定(LED照明された透明アクリル板)
表面張力(金属)
表面張力(軟鋼)
表面電位(液晶の)
表面プラズモン共鳴(Mie散乱と)
表面プラズモン分散式
表面プラズモン励起
表面プラズモンとエバネッセント波の結合
表面プラズモンとエバネセント波
表面プラズモン増強とエネルギー保存則
表面プラズモン共鳴(バイオセンサー)
表面プラズモンとブリュースター条件
表面プラズモンを理解するための本
表面プラズモン共鳴(ロッド形微粒子分散系)
微粒子(消磁効果)
ファラデー効果(中赤外域の)
ファラデー効果(異方性物質の)
ファラデー効果(ガラス, 測定)
ファラデー効果(溶液の)
ファラデー効果はなぜ起きる
ファラデー楕円率(磁化に比例するか)
ファラデー効果(磁区像と磁壁)
ファラデー効果(光学遅延変調法)
ファラデー効果(非磁性の絶縁体)
ファラデーの電磁誘導の法則について
フィードバック回路
フェムトアンペア(fA)より小さな電流の測定法
フェライトガーネットについて
フェリ磁性体(磁化率)
フェルミエネルギー
フェルミ準位(半導体のフェルミ準位はなぜ禁制帯の真ん中に来るか)
フェルミディラック分布
フォトダイオードについて
フォトダイオード(受光領域)
フォトダイオード(量子効率)
フォトニック結晶(光局在)
、
フォトニック結晶(磁性)
フォトニック結晶の解析(FDTD法)
フォトルミネッセンス(フラーレン[C60]単結晶)
フォトルミネッセンス(酸化亜鉛[ZnO])
フォノン閉じ込めモデルによるラマン散乱スペクトル
深い不純物準位のある場合のアバランシェ現象
複合材料(半導体金属)
複合材(木粉と樹脂の)の処分法
複合材料(比熱)
複屈折(異方性結晶中の光の伝播)
複屈折(サファイヤ板)
複素数の屈折角(斜め入射の反射)
複素屈折率(金及び銀)
複素屈折率(金属)
複素誘電率とクラウジウス・モソッティの式
複素屈折率(磁気光学)
複素屈折率(Si, GaAs)
複素屈折率(タングステン)
複素屈折率(チタンの)
複素屈折率(鉄、アルミ、銅の)
複素誘電率
、
腐食(7075アルミニウム合金の焼鈍後の)
不純物準位計算法
フタロシアニンの昇華温度
豚レバー(赤外分光特性)
フッ化アルミと酸化アルミについて
物性値を変化できるか(物質が同じでも条件によって)
不定比性の定量(酸化物焼結体における酸素の)
不動態皮膜(耐酸性と導電性の両立)
不動態の抵抗(ステンレスの)
不動態膜(化学処理後の高濃度ドープシリコン)
物性値(ナノ領域への適用限界)
負の磁気抵抗効果
負の消光係数(仮想屈折率法における)
負分散ミラー
フラーレンポリマー(バンドギャップ)
プラズマCVD(チャンバークリーニング)
プラズマ温度(RFマグネトロンスパッタ装置)
フラットパネルディスプレイと無機材料
フラットバンド条件の導出法
フラットバンド電圧(MOSFET)
ブラウン管(振動)
、
ブラウン管(裏面反射)
プラスチック(赤外吸収)
プラスチック(電波透過性)
プラスチック(透湿性)
プラスチック(比透磁率)
プラズマエンハンスメント
、
表面プラズモン共鳴(Mie散乱と)
プラズマ振動数(金属の吸収端と)
プラズマ周波数(Cr)
プラズマポテンシャルとセルフバイアス
プラズモン(金属多層膜の)
プラズモン(サブバンド間)
プラズモン(電磁波との結合)
プラズモン(電場増強効果とステンドグラスの色)
プラズモン(バンド間遷移)
プラズモン振動数について
プラズモン共鳴センサー(摩擦に強い)
プラズモン励起(金属微粒子)
、
プラズモン励起について
プラズモンとエバネセント波
プラズモン増強とエネルギー保存則
プラズモン(と有機EL)
フラットバンド電圧の評価法(MOSFET)
フラットバンド評価法(MOS-FET、低温)
プリズム(回折格子と)
フラーレン[C60](単結晶のフォトルミネッセンス)
ブリルアン領域
、
フロロシリコン
ブリュースター角(TM入射光に対する)
ブリュースター条件(表面プラズモンと)
プロピレングリコール(密度と定圧比熱)
フロロシリコン(耐溶剤性)
分画(PCBの)
分極と光学遷移
分光感度の光バイアス依存性(薄膜シリコン太陽電池)
分光測定(水を含んだ物質)
分光測定の問題(UV-LED)
分極率の高エネルギー側のふるまい
分光光度計(石英セル)
分光反射率測定(標準白色板を参照試料とした)
分光分析における微分スペクトルについて
分散(と群速度)
粉末試料の熱膨張係数
平均自由行程(CVDラジカルの)
ベーテ・スレータ曲線について
ヘリウム(空気への拡散)
ヘリウムリークディテクター(ヘリウムの検出原理)
ペロブスカイト型酸化物(物性変化の定性的説明)
変位電流(準定常電流近似と)
変換効率の導出法(太陽電池)
偏光子(二色性)
偏光状態(1/4波長板の)
偏光性(拡散反射の)
偏光性(傾けたガラス板)
偏光板の劣化について
,
偏光板とヨウ素
変色防止(ポリウレタン)
変色防止(ポリウレタン)[#896へのコメント]
ポリロンフィルム(熱伝導率)
HoFeO3の相転移温度
ホイップクリーム状になる理由(混合攪拌時に)
質問#1125(ホイップクリーム状になる理由)へのコメント
ボイド(ショットキー障壁高さへの影響)
防音継ぎ手(音響伝搬特性)
方向性鋼板の磁区観察
放射率(YIGの)
放射率(遠赤外線)
放射率(窒化ガリウム[GaN]の)
放射率(ポリ塩化ビニール)
放射率(ポリスチレンの)
宝飾用合金(反射率)
宝石
飽和磁化(ニッケル亜鉛フェライトの)
飽和磁化モニター(縦カー効果)
飽和磁束密度(鉄ニッケル(Fe-Ni)合金)
飽和水蒸気量(アルゴンガスの)
琺瑯ステンレス
1372.棒状試料の保磁力の長さ依存性
ポテンシャル(結晶中の)
ホトニックバンドギャップ
ホッピング伝導とトンネル伝導
骨(透磁率)
ポーラス酸化亜鉛の発光
ポラリトン(物理的描像)
ポリウレタン(変色防止)
ポリウレタン(変色防止)[#896へのコメント]
ポリウレタン(チューブからの溶出)
ポリエステル糸(熱伝導性のよい)
ポリエチレンの比誘電率
ポリエチレンの誘電率(2)
ポリ塩化アルミ溶液の比熱
ポリ塩化ビニール(放射率)
ポリスチレンの放射率
ポリブタジエンの伸縮性
ポリマーの色と電気伝導
ボルタ電池(電子が移動するのか)
ボルタ(電池の出力をどうやって確認したか)
ポワソン比(アルミ鋳造合金の)
ポワソン比ヤとング率(塩化ビニール)
ポワソン比(SUS404)
ボンディング(アルミ線と銅フレームとの)
マ行
マ
ミ
ム
メ
モ
マイカ(熱不安定性)
マイカから発生する白色の煙
マイクロ波焼結(金属材料の)
マイクロ波加熱(炭素の)
マイクロ波反射率(アルミ板)
マイクロ波誘電率(温度係数)
マイクロ波誘電率と誘電損失(シリコンと酸化チタン)
マイクロ波特性(ルチルとアナターゼのちがい)
マイクロ波領域の半波長板
摩擦に強いプラズモン共鳴センサー
摩擦力(スーパーボールがドアの動きを止める)
マルテンサイト量の評価(ステンレスにおける)
マルテンサイト体積率測定(放射線による)
マンガン5ゲルマニウム3(Mn5Ge3)の選択エッチング
マンガンシリサイドMnSi1.7の格子定数の決定法
マンセル明度(と反射率)
曲げ応力(シリコンの)
豆電球の非線形性
Mie散乱と表面プラズモン共鳴
身近にある磁性材料
水(紫外線の減衰)
水の紫外線吸収
水の配向とフォノンの関係(ハイパーラマン散乱)
真空中での水の凝固(真空中での)
水(赤外吸収)
、
水の粘性(温度変化)
水の比熱の温度依存性
水を含んだ物質
水の誘電率
水分子の結合角
密着性(基板と導電体の)
密着メカニズム(蒸着における母材と金属の)
密度(鉄・銅・真鍮)
密度(鉛)
密度(プロピレングリコール、定圧比熱と)
密度汎関数理論とバンドギャップ
ミュラー行列(円二色性の)
ミラー材料(燃焼管内で使える)
ミリ波(誘電損失)
無機材料(フラットパネルディスプレイ)
無酸素銅(機械的特性)
明度と反射率(マンセル)
メチルジフェニルイソシアネート合成のための反応器の材質
めっき材と被めっき材の抵抗
メッキの酸化(ニッケル)
MOSFET(フラットバンド電圧の評価法)
MOS-FET(低温のフラットバンド評価法)
MOSのC-V特性におけるヒステリシス
MOS容量(計算式の導出法)
モース硬度をショアー硬度に換算出来るか
モスアイ構造(反射防止)
木粉と樹脂の複合材(処分法)
モーメントの問題
モワレ縞
モジュラージャックの材料
モリブデンの光学定数
モリブデンの反射率
モリブデン焼結体の粒径
モル吸光度から屈折率を求める
ヤ行
ヤ
ユ
ヨ
ヤング率(一般炭素鋼、高温)
ヤング率(鋼材の熱処理による変化)
ヤング率(アルミ鋳造合金)
ヤング率(塩化ビニール)
ヤング率とポワソン比(塩化ビニール)
ヤング率(SUS404)
ヤング率(GaN)
ヤング率(コランダム:温度依存性)
ヤング率(シリコン,温度依存性)
ヤング率、ポアソン比(チタン酸バリウムストロンチウム(Ba
0.7
Sr
0.3
)TiO
3
)
ヤング率Eの低下(強磁性体の凾d効果)
ヤング率(Ta2O3)
ヤング率(鉛フリーハンダ)
ヤング率(鉛フリーはんだAuSn4)
有機ELについて
融解潜熱と気化潜熱(水の)
有機EL(とプラズモン)
有機EL材料(LUMOが2.3eV以下、HOMOが6eV以上の)
有機材料(酸素透過率)
有効質量
、
有効質量(Si半導体中の電子)
誘電泳動現象
誘電関数(シリコン[Si]の)
誘電正接の大きな素材
誘電体(吸収の原因)
誘電率(ナノスケール・シリコン)
誘電体(光の伝搬)
、
誘電体(を含むコンデンサ)
誘電特性(カーボンブラックの)
誘電率(εr)と損失角(tanδ)(グラファイトの)
誘電率(ITO)
誘電率(アルミニウム)
誘電率(In2O3)
誘電率(ウイレマイト)
、
誘電率(強誘電体)
誘電率(金属)
誘電率の温度依存性(金属)
誘電率(金属、低周波)
、
誘電率(空気と水)
誘電率(水蒸気)
誘電体(絶縁性)
誘電率の温度依存性(セラミックス)
誘電率(水の)
誘電率(水、氷、雪)
誘電率(酸の水溶液の)
誘電率(周波数分散)
、
誘電率(二酸化珪素と炭素)
誘電率(薄膜;光学的決定法)
誘電率(半導体)
、
誘電率(BaTiO3多結晶の)
誘電率(Bi2Te3の)
誘電率(複素)
、
誘電率(濃度との相関)
誘電率(濃度との相関)コメント
誘電率(ポリエチレン)
誘電率(ポリエチレン;2)
誘電率(マイクロ波)の温度係数
誘電率(メカニズム)
、
誘電率(硫化銀)
誘電率(有機溶媒;周波数分散)
誘電損失(なぜ生まれるか)
誘電損失(ミリ波)
、
誘電損失(カーボン粒子を含むゴム)
、
夕日の色
夕日の色の謎
輸送中の磁化(鉄製シャフトの)
溶液のファラデー効果
溶解度ギャップと臨界温度
溶解度(水へのシロキサンの)
溶接時の反り(アルミニウム)
溶接影響部の靱性
容量ー電圧特性(MIM構造)
42合金への銀メッキ
ラ行
ラ
リ
ル
レ
ロ
ラスティーボルトエフェクト
ラマン散乱(解釈)
ラマン散乱(結晶歪みの評価)
ラマン散乱(シリコン)
ラマン散乱と赤外吸収(反転対称のある系)
ラマンスペクトル(半導体ドーピングと)
ラマン散乱(フォノン閉じ込めモデル)
ラマン分光のベースライン
ランダウ準位から電子を取り出すエネルギー
ランダム配列(規則配列はなぜ安定か)
ランダム偏光から円偏光
ランプ加熱(シリコンウェハ)
リーク(配管)の許容値
リサイクルできるか(ナイロン製品を液体燃料に)
裏面反射
、
硫化(断線)
硫化亜鉛(銅添加)ZnS:Cu
2+
(電荷移動による光吸収構造)
硫化銀(誘電率)
硫化銀被膜(銀接点に生じる)
硫酸銅水溶液をビタミンCで還元したときの色
粒子性(光)
、
粒子の運動量(1次元の箱に閉じこめられた粒子)
量子効率(フォトダイオード)
量子力学の質問
リンゴの色(と金属の色)
リンゴ(なぜ赤い)
ルチル(マイクロ波特性;アナターゼのちがい)
ルビー(R1線の圧力効果の配位子場理論による説明)
ルビー・サファイアの蛍光
ルビー・サファイアの電気伝導
ルミネセンス(磁場誘起)
レーザ誘起蛍光(LIF)法[酸化亜鉛PLD過程の解析]
励起子吸収(バンドギャップ推定)
励起子発光
励起子ポラリトン
、
レイリー散乱
、
レーザ高調波のスペクトル幅
レジスト回転塗布と広がり方
レジンコンクリートの耐火温度
レポート
路面反射(近赤外線の)
ろう材(熱伝導率)
六方晶サファイヤ(結晶面の名称)
ロングパスフィルタ(遠赤外線)
ワ行
ワ
YIGと反射膜
、
YIG(放射率)
YIG(コバルト置換)
ワイヤグリッド偏光子
英文・元素記号索引
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
A
Al(板のマイクロ波反射率)
Al(板の反り)
Al(板上でのネオジム磁石の運動)
Al(空気中に放置した塊の温度)
Al(合金の焼鈍後の腐食)
Al(酸化被膜の耐食性)
Al(蒸着膜の反射率:クロムとの比較)
Al(焼鈍材と圧延材)
Al(スチール缶と)
Al(線の銅フレームとのボンディング)
Alの熱伝導率測定
Al(線膨張係数)
Al線(皮膜で固定した場合の熱膨張と線膨張)
Al(鋳造合金のポワソン比)
Al(低温成膜Alの物性)
Al(電気特性の面積による違い)
Al(パイプ)
Al(薄膜の応力緩和速度)
Al(反射率)
Al(反射率の入射角による変化)
Al(反射率のディップ)
Al(高い反射率の起源)
Al(堆積温度による薄膜の物性の違い)
Al(誘電率)
Al(UV反射率)
Al(棒加工後の変形)
Al(見分け方)
Al(容器での尿素の保存)
Al(溶接時の反り)
Al合金(音響異方性)
Al合金(仕事関数)
Al合金(薄膜、許容電流密度)
Al合金(物性値の温度依存性)
Al-Cu合金(鋳造の際の成分の偏り)
AlGaAs(GaAsよりAs抜けが起きやすいか)
γAl2O3(の硬度)
Al2O3(レーザー加工)
Al2O3基板上にエピタキシャル成長したZnOの結晶性
Al2O3(基板と銅との接合)
Al
2
O
3
(CrやTiドープ, 蛍光)
Al2O3(サファイア)(エッチャント)
Al2O3(サファイア)(850℃までの高温特性)
Al2O3(サファイア)(単結晶のX線回折)
Al2O3(サファイヤ)板(複屈折)
Al2O3(nとk)
a-Si:H(吸収端)
a-Si:H(光化学)
a-Si:H(pinダイオードのI-V特性)
a-Si:H(活性化エネルギー)
amorphous半導体(キャリア濃度)
amorphous太陽電池のpin構造
amorphous-likeな構造(絶縁性)
amorphous→結晶相転移(DVD)
amorphous Al2O3(アルミ酸化膜の耐食性)
As空孔の電子描像(GaAsの)
ATO(熱線遮断塗料)
ATR法(FTIR分析に最適なプリズム)
AuSn4(ヤング率)
Au2O3
B
BaFe12-2xCoxTixO19(磁気物性)
BaTiO3(多結晶の比誘電率)
BaTiO3(薄膜研究の意義)
BaTiO3、CaTiO3(バンドギャップ)
Ba
0.7
Sr
0.3
)TiO
3
(ヤング率、ポアソン比)
C
CDの虹色
、
α-Coとβ-Co
C粒子(を含むゴムの誘電損失
、
C(グラファイト)物性値
、
C(赤外透過率)
CdS, SrTiO3, KTaO3, LiTaO3のバンド端の電子軌道
CeB6(熱線遮断塗料)
CNT(磁気エネルギー)
Cの付着と剥離
Co(αとβ)
Co-Cr膜(イオン照射した膜のMsとTcの変化)
CoCrPt(磁気光学スペクトル)
Co-Fe-Ni(なぜ磁石の材料になる)
Co:YIG
CO2レーザ集塵(アクリル回収率)
CIS太陽電池におけるCdSの役割
、
CRS1010(比透磁率)
CVDと真空
、
CVDラジカルの平均自由行程
CVD膜のエリプソメトリ
Cの性質
、
Cの加熱(電子レンジによる)
、
Cの加熱(マイクロ波加熱)
「Cのマイクロ波加熱」(Q179)への質問
Cの物性値(グラファイトカーボン)
CrやTiドープのAl
2
O
3
の蛍光
CuとAl2O3基板の接合
Cuの抵抗率(液体ヘリウム温度における)
CO2の自然界での分解
C60(単結晶のフォトルミネッセンス)
Cu. Al2O3)基板の接合)
Cu(抵抗率.液体ヘリウム温度における)
Cu2O(熱処理による抵抗変化)
D
DSC曲線(シリコーンオイル)
DVD-RAM記録層はAFMで観察できるか
DVD-RAM材料の結晶工学
E
EL(有機)
、
emu/g(μ
B
への換算)
EPMA分析(焼結体)
Erの発光機構(酸化ゲルマニウム中の)
Eu(Ga2O3中, 炭素を用いた還元)
eV(温度への変換)
F
FCD450,SCM440の物性値
Fe(固有振動数)
Fe(相変態)
Fe,Ni,Co(なぜ磁石の材料になる)
Fe(磁石の導電性)
Fe(スパッタ膜)
Fe(バルクと薄膜の磁化の差異)て
Fe-Al(金属間化合物の物性値)
Fe
2
Al
5
(金属間化合物の磁気特性)
Fe-Al(合金の結晶構造)
Fe-Niの飽和磁束密度
Fe,Cu,Cu-Znの密度
FEDの封止法
FDTD法(フォトニック結晶の解析)
FTIR分析(ATR法に最適なプリズム)
G
GaAs(光学定数)
GaAs(電子線励起プラズマの光学的観察)
GaAs(ドーパント)
GaAs(砒素空孔の電子描像)
GaAs(ホール伝導の異方性)
GaAs, Si(複素屈折率)
Ga2O3中のEu(炭素を用いた還元)
GaN(抵抗率の基板による違い)
GaN(LEDをフォトダイオードとして使用したとき600nm光に感度があるか)
質問#1061「GaNの抵抗率の基板による違い」へのコメント
GaN(放射率)
GaN(ヤング率)
GaN(p型, オーム性接触)
GaN (Mgドープ)
H
HoFeO3の相転移温度
I
IH加熱に適した鍋材
IH土鍋(銀ペースト)
IH鍋
、
IH鍋と銀ペースト
IPSモード(液晶ディスプレー)
、
ITO(エッチャント)
ITO(可視光の透過性)
ITO(キャリア密度と反射率)
ITO(金属との密着性)
ITO(銀ペーストの界面の不具合)
ITO (結晶構造)
ITO(格子定数のスズ濃度依存性)
ITO(酸化亜鉛薄膜の基板としての)
ITO(色素増感太陽電池電極としての)
ITO(仕事関数)
ITO (成膜条件と物性値の関係)
ITO(導電率,誘電率,透磁率)
ITO(特性改善)
ITO(面抵抗変化)
ITO(熱処理と着色)
ITO (熱伝導率)
ITO(熱膨張係数)
ITO (溶解)
J
K
L
La-BaZrO3のドーピング
LEDの発光の原理
LED(紫外線340nmの)
LED(白色)
LED(チップの機械的強度測定法)
LED用光ガイド(プラスチックで作りたい)
LIF法[酸化亜鉛PLD過程の解析]
LiNbO3の物性値
LiNbO3, LiTaO3(仕事関数)
LSC を用いた試料測定の際の減衰率
LSI
LS多重項に
1
F、
1
Pが現れないわけ
M
MBE(なぜ非平衡結晶成長なのか)
MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由
Mie散乱と表面プラズモン共鳴
MI(磁気インピーダンス)効果
MIM構造(容量ー電圧特性)
Mn5Ge3(選択エッチング)
MOD成膜したPMNZTの表面モルホロジー
MOSFET(フラットバンド電圧の評価法)
MOS-FET(低温のフラットバンド評価法)
MOSのC-V特性におけるヒステリシス
MOS容量(計算式の導出法)
Mo(光学定数)
Moの反射率
Mo焼結体の粒径
MOディスク
MPB(PZTの)
N
NaCl(結晶と不純物)
NaCl(価電子帯と分子軌道)
NOT回路についての疑問
O
P
Pb(密度)
Pbフリーハンダ(ヤング)
PCB分画(処理法)
Pt黒
Pt(なぜ自由電子の散乱寿命は短いのか)
PEMを用いた磁気光学測定における楕円率の膜厚依存性
PEMを用いた縦カー効果測定のセットアップ
PLD過程[酸化亜鉛;レーザ誘起蛍光(LIF)法による解析]
PMMA(斜め入射反射率)
PMMAの吸光係数
PMMAへの金属薄膜の成膜について
PMNZT(MOD成膜)の表面モルホロジー
pn接合(拡散電位; 電池として利用できるか)
pn接合(光電流)
pn 接合ダイオード(順方向電流-電圧特性)
pnダイオードの抵抗制限電流領域
p形半導体(キャリア密度の温度変化)
p型GaN(オーム性接触)
PVC(放射率)
PVC樹脂の物性
PZTのエッチャント
PZT(MPB(相境界)の結晶構造と物性)
PTFEとタンタル(耐食性の比較)
Q
R
S
SCM440,FCD450の物性値
Si-Alコンタクト
Si(インゴットのρb値の計算法)
Si(ウェハーの赤外線スペクトル)
Si(硬さ)
Si(基板上の金属膜の加熱)
Si(屈折率)
Si(屈折率と消光係数)
Si(形態の違うSiの物性値)
Si(結晶とアモルファスの活性化エネルギー)
Si(研削粉のpn分離)
Si(研磨発生時の物質の処理)
Si(光伝導スペクトル)
Si(純度)
Si(1000℃における物性値)
Siの量(太陽電池作製に必要な)
Si(直接バンドギャップ)
Si(ドーピングによって色は変わるか)
シリコン[Si](単結晶の線膨張係数)
Si(化学処理後の高濃度ドープシリコンに見られる不動態膜)
Siと石英ガラス(破壊靱性度)
Si/SiO2/air構造における発光の反射
Si(光の吸収係数)
Si(高温における比抵抗)
Si(と同等の熱膨張をもつ金属)
Si(熱酸化膜形成によるシリコンの消費)
Si(酸化厚膜の用途)
Si, GaAs(複素屈折率)
Si(マイクロ波誘電率と誘電損失)
Si(曲げ応力)
Si(誘電関数)
Si(ラマン散乱)
Si(ランプ加熱)1
Si(ランプ加熱)2
Siウェハ(ランプ加熱)
Si/Al(I-V特性)
SiN(硬度)
SiN,SiO2,V(ビッカース硬度)
SiN(合成法)
Sbの拡散(SiO
2
への)
SiO
2
(Sbの拡散)
SiO
2
(エネルギー準位図)
SiO
2
(弾性)
SiO2とCの誘電率
T
TaとPTFE(耐食性の比較)
Taの仕事関数
Ta
2
O
5
薄膜
TiC(格子定数)
Ti-Ni形状記憶合金(状態図)
Ti(屈折率)
Ti(複素屈折率)
TiC(格子定数)
TiC(の組成比と格子定数)
Ti-Cr-Sb系の顔料
TiやCrドープのAl
2
O
3
の蛍光
TiO2粉末(熱処理による色の変化)
TEM波(導波管にを入射するとどうなるか)
TEM 波と静電磁界
TMR(MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由)
U
UV-LEDの分光測定の問題
UV-LEDの光軸の見つけ方
V
W
W(複素屈折率)
X
X線回折(シリコンの200禁制反射)
X線(回折の消滅則)
X線(混相の回折)
X線(吸収)
X線(金の吸収端)
X線(吸収端の定義)
X線(結晶解析)
X線(侵入深さ)
X線回折(XRD)の配向性とは
X線回折実験(Moを使う理由)
X線(と光の透過)
X線(なぜ人間の内部を通り抜けるか)
XPSのピークシフト
Y
YIGと反射膜
、
YIG(放射率)
YIG(コバルト置換)
Z
Zn(光吸収係数)
ZnMn2O4(正スピネルか逆スピネルか)
ZnO(圧電性)
ZnO(A励起子)
ZnO(n型の起源)
ZnO(自由励起子発現の機構)
ZnO[LIF法によるPLD過程の解析]
ZnO(赤外吸収)
ZnO(透明導電膜)
ZnO(薄膜の応用性)
ZnO(フォトルミネッセンス)
ZnO[ポーラス](発光)
ZnOの光化学反応成長のための基板について
ZnS:Cu
2+
の電荷移動による光吸収構造について
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