この研究領域は、CMOSに代表される既存のシリコンデバイスを超える革新的な次世代デバイスを創成することを目標として、環境やエネルギー消費に配慮しつつ高速・大容量かつ高度な情報処理・情報蓄積・情報伝達を可能とする新しい材料の開拓およびプロセスの開発を図る挑戦的な研究を対象とするものです。

具体的には、高移動度ワイドギャップ半導体材料、スピントロニクス材料、高温超伝導体を含む強相関系材料、量子ドット材料、ナノカーボン材料、有機半導体材料などが挙げられますが、これらに限らず、将来のデバイス化を見据えた新しい材料または構造及びプロセスの開拓に向けた独創的な研究が含まれます。

CMOSに代表される既存のシリコンデバイスには微細化の限界が目前に迫っており、従来とは異なる革新的な原理に基づいた新規デバイスの開発が求められています。そこで、この研究領域では、CMOSの延長ではない次世代エレクトロニクス・デバイスの実現に結びつく新しい材料の開拓、デバイス構造やプロセスの開発に向けた独創的かつ挑戦的な研究提案を募集します。

上記の「エレクトロニクス・デバイス」とは、電荷を制御・輸送する従来型のデバイスにとらわれず、スピン、軌道状態、準粒子、ボルテクス、光位相などさまざまな物理量、あるいは、それらの複合体の制御・輸送・蓄積を行うデバイスを含めます。対象となる材料は特に限定せず、半導体、金属、セラミクス、有機材料まで幅広く捉えています。

選考にあたっては、将来の産業化を見据えた提案であるかどうかを重視しますが、現行の技術水準をもってしては実用化が困難なデバイスを目指していても、将来のイノベーションを見越して産業化が可能な提案であれば対象となります。

　本研究領域は、CMOSに代表される既存のシリコンデバイスを超える革新的な次世代デバイスの創成を目指す新しい材料の開拓およびプロセスの開発を目的として、本年度から募集を開始しました。
　これまでにも次世代デバイスや材料やプロセスを目指す研究開発が多くの機関で行われておりますが、従来の「電荷の輸送と制御」の概念の延長ではイノベーションに繋がるような新材料を創出する可能性は低いと思われます。
　そこで、募集に当たっては、スピン、軌道状態、準粒子、ボルテクス、光位相などさまざまな物理量、あるいは、それらの複合体の制御・輸送・蓄積に関する独創性あるアイデア、そしてその応用において魅力的な発展性が期待される研究提案を対象としました。
　本研究領域の公募に対して、広範な研究分野から計１０８件の応募がありました。
　これらの研究提案を１１名の領域アドバイザーと６名の外部評価者のご協力を得て書類選考を行い、研究提案２５件を面接対象としました。
　面接選考に際しては、研究構想が本領域の趣旨に合っていること、特に、研究計画が高い独創性と新規性を有し、挑戦的であること、将来の産業化が期待できること、また提案者が明確な目的意識を有していることを重視して厳正な審査を行いました。
　選考の結果、初年度はスピントロニクスを中心に半導体ナノ構造、ナノカーボン、有機材料を加えた分野における１１件を採択しました。いずれも新しい発想に基づく意欲的な研究課題であると考えております。
　採択されなかった提案、また書類選考の段階で面接選考の対象とならなかった提案の中にも、重要な提案や独自性の高い提案が数多くありました。ただ、重要であっても、本領域の趣旨に合わないもの、独自性はあっても研究展開が不明瞭なものは、不採択としました。これらの提案者に関しては、今回の不採択理由を踏まえて再度提案を練り直して再挑戦して頂くよう呼びかけたいと思います。
　来年度も、次世代の革新的デバイスを目指す材料とプロセスの探索という視点から、募集を行う予定ですので、本年度以上に夢のある優れた研究提案に期待しています。