［研究報告書等］

1. 新しい室温磁性半導体MnGeP2を用いたトンネル磁気抵抗素子の作製 (代表）課題番号：17360009：平成17-18年度基盤研究(B)研究成果報告書
2. 微細高温超伝導構造におけるボルテックスの観察と操作 (分担)　課題番号：16360003：平成16-18年度基盤研究(B)研究成果報告書
3. 円偏光変調法を用いた高感度磁気光学顕微鏡の開発 (代表)課題番号：14655151：平成14-15年度萌芽研究実績報告書
4. カルコパイライト系室温強磁性半導体の物性評価 (代表)平成13-15年度文部科学省科学研究費補助金基盤研究(A)(1)研究成果報告書　課題番号13305003, (2004.3)pp.1-47
5. MnBi系単結晶および人工格子のMBE成長と非線形磁気光学効果による評価：平成10-12年度文部省科学研究費補助金基盤研究(B)(2)研究成果報告書(2001.3)pp.1-32.
6. 微小領域の磁性を対象とする測定技術の開発: 平成9-11年度重点領域研究「微小領域の磁性と伝導」課題番号：09236102　研究成果報告書報告書(2000.3)
7. Magneto-optical Imaging by Scanning Near-Field Optical Microscope Using Polarization Modulation Technique (K. Sato and T. Ishibashi) ; Research Report on Nanoscale Magnetism and Transport (平成9年度重点領域研究「微小領域の磁性と伝導」報告書) (1998.4) pp.73-76.
8. 微小領域の磁性と伝導 ：平成8年度基盤研究(B)研究実績報告(1997.3)
9. 非線形磁気光学効果による人工格子界面の評価：平成8-9年度基盤研究(B)(2)研究成果報告書(1998.3)pp.1-47
10. カルコパイライト型半導体を用いたエレクトロクロミックスデバイスの開発：課題番号：08875063 平成8-9年度萌芽的研究研究実績報告書(1998.3)
11. ナノスピン構造観測用近視野磁気光学顕微鏡：平成7-9年度基盤研究(A)(2)研究成果報告書(1998.3) pp.1-39
12. 単原子層積層制御による非平衡規則合金の人工合成と磁気物性：平成8-9年度基盤研究(B)報告書(1998.3)
13. モット転移系3d遷移金属化合物における光磁気機能性の開拓 (T. Ishibashi and K. Sato); 重点領域研究「モット転移」平成８年度成果報告書(March 1997)
14. 固体の広エネルギ-領域光物性:平成5-7年度総合研究(A)報告書(分担）(March 1996)
15. Hot-Wall Growth and Magneto-Optical Studies of MnSb Films on GaAs Substrates: 平成７年度総合研究(A)「スピン制御による半導体超構造の新展開」(分担) 中間報告書(1996.2) pp.52-55
16. ナノスピニクスの科学：平成5年度総合研究(B)(March 1994)
17. 金属人工格子の短波長磁気光学特性の研究: 平成４年度重点領域研究「金属人工格子」（公募、代表）報告書(1993.3) pp.306-310.
18. 新しいオプトメカトロニクスに関する研究 : 平成4-6年度国際学術研究（分担）報告書(1995.3)
19. 高機能光電変換材料としての多元化合物の光物性: 平成4年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（分担）報告書 (1993.3) pp.79-83 および pp.1043-1045.
20. 金属人工格子の短波長磁気光学特性の研究 平成3年度重点領域研究「金属人工格子」（公募、代表）報告書(1992.3) pp.275-281.
21. 高機能光電変換材料としての多元化合物の光物性: 平成3年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（分担）報告書 (1992.3) pp.84-88.
22. 磁気円二色性発光法による化合物半導体中の希土類イオンの発光機構の研究： 平成2年度一般研究Ｂ（代表）報告書(1992.3)全65ページ.
23. 金属人工格子の短波長磁気光学特性の研究: 平成2年度重点領域研究「金属人工格子」（公募、代表）報告書(1991.3) p203-208.
24. 高機能光電変換材料としての多元化合物の光物性：平成2年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（分担）報告書　(1991.3) p80-84.
25. CuGa1-xInxS2の不純物Feによる赤外発光:平成２年度総合研究(B)「三元・多元化合物の物性と評価」（分担）報告書(1991.3) p35-36.
26. 化合物半導体の光物性の制御: 平成元年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（A03:計画班班長）報告書(1990.3) p71-74.
27. 化合物半導体の光物性の制御: 昭和63年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（A03:計画班班長）報告書(1989.3) p73-76.
28. 遷移金属カルコゲナイドおよび組成変調多層構造膜における磁気光学効果の基礎的研究， 昭和63年度特定研究「新しい光磁気材料の開発と物性の研究」報告書（分担）(1989. 2) p43-60.
29. Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半導体の光物性の遷移金属元素による制御； 昭和62年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（公募代表）課題番号 62604006 報告書 (1988.3)p102-105.
30. 磁気円二色性発光法による半導体の深い準位の研究; 昭和62年度一般研究(B)課題番号 02452074（代表）報告書 (1988.3) 全61頁.　
31. Fe7Se8の反射および磁気光学スペクトル; 昭和60年度総合研究(A)「金属間化合物の基礎磁性」報告書（分担）(1987.3)p13-14.
32. Reflectivity Spectra and Electronic Structures in Co(S1-xSex)2 System; 昭和59年度総合研究(B)「新しい光磁気材料の開発」報告書（分担）(1986.3)p7-12.

(1)Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ２族化合物半導体の光電変換特性の研究; 放送文化基金助成研究報告書No.10（昭和５９年度助成分）(1986.12)p134-140.
(2)ＩＣＢ法によるCuInSe2薄膜の作製と評価;放送文化基金助成研究報告書（昭和６３年度助成分）(1990.12)

(1)昭和６０年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発－アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1986.3)p79-91.（分担）「薄膜の光吸収スペクトルの測定と解析」
(2)昭和６１年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発－アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1987.3)p66-85.（分担）「ＰＤＳによるバンド裾状態の評価」
(3)昭和６２年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発－アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1988.3)P42-58.（分担）「ＰＤＳと時間分解発光スペクトルによる評価」
(4)昭和６３年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発－アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1989.3)P37-58.（分担）「時間分解発光スペクトルによるギャップ状態の評価」
(5)平成元年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発－アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1990.3)P44-68.（分担）「時間分解発光スペクトルによるギャップ状態の評価，CuInSe２薄膜のICB法による作製」
(6)平成２年度サンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発－低温成膜技術の研究」(1991.3)P1-48.（代表）
(7)平成３年度サンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発－低温成膜技術の研究」(1992.3)P1-29.（代表）
(8)平成４年度サンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発－低温成膜技術の研究」(1993.3)P1-25.（代表）
(9)平成５年度ニューサンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発－低温成膜技術の研究」(1994.3)P1-31.（代表）
(10)平成６年度ニューサンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発－低温成膜技術の研究」(1995.3)P1-45.（代表）
(11)平成７年度ニューサンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発－低温成膜技術の研究」(1996.3)P1-31.（代表）

(1)高梨弘毅，藤森啓安，佐藤勝昭： 　Ｃ１ｂ型ホイスラー化合物およびその人工格子膜の磁気光学効果の研究 　平成元年度東北大学金属材料研究所共同研究報告 1990.3, p126.