JST PRESTOJST Home

科学技術振興機構戦略的創造事業さきがけ
「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」
2013年3月31日を以て終了しました。

さきがけ「次世代デバイス」研究総括のページ

次世代デバイス佐藤勝昭のHP
さきがけ「次世代デバイス」は2013.3.31をもって終了します。ご支援ありがとうございました。
Updated 2013.09.27

この領域について

領域設定目的ターゲット対象採択課題成果研究者の受賞・表彰課題別事後評価

トピックス

 　
年月日行事/概要写真ほか
(クリックすると拡大します)
13.8.23山本浩史研究者の研究成果が、Nature Communicationに掲載され、分子研からプレスリリースされました。
マイナビニュース(8/26)
OPTRONICS (Webジャーナル)(8/26)
NanotechJapanのナノテク情報(8/30)
日経Web(8/26)
SJNニュース(8/26)
 		世界で初めて、有機物に電圧を加えて超伝導を実現

共同発表
13.6.28JSTのホームページのContents Newsに高橋研究者のシリコンラマンレーザの成果が取り上げられました。シリコンラマンレーザ
Contents News
13.6.24高橋和研究者がシリコンラマンレーザ発振についてプレスレクを行いました。
13.6.24JST業務運営委員会において、戦略的創造事業の外部委員による事後評価の結果が報告され、さきがけ佐藤領域は総合評価はS評価でした。　
13.6.6佐藤は国際会議ISCSI-VIに招待され、本領域の成果を紹介する講演を行いました。パワポ
13.3.31さきがけ佐藤領域が終了しました。　
13.3.5 本領域の領域事後評価会が開催されました。 総括報告スライド(pdf)(一部非公開部分を削除してあります)
13.1.16-17第11回領域会議が淡路夢舞台国際会議場で行われました。 淡路夢舞台集合写真
12.12.27JSTのさきがけ佐藤領域・CREST渡辺領域の研究者とTIAの意見交換会が行われました。
研究紹介（12:30〜18:15，SCR棟第５会議室）
<革新的デバイス関連> (12:40〜14:40, 司会・取纏め　横山中心研究者)
12:40〜13:00 (TIA) GNC紹介:横山中心研究者
13:00〜13:20 (CREST) 計算科学によるグラファイト系材料の基礎物性解明：岡田 晋 筑波大准教授
13:20〜13:40 (CREST) グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術の開発：尾辻泰一 東北大教授
13:40〜14:00 (さきがけ) Si/III-V族半導体超ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発：冨岡克広（さきがけ専任研究者）
14:00〜14:20 (さきがけ) 縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの開発：深田直樹（物材機構 独立研究者）
<スピントロニクス関連> (14:50〜16:50司会・取纏め　佐藤研究総括)
14:50〜15:10 (TIA) LEAP紹介：住広プロジェクトリーダー
15:10〜15:30 (CREST) 数値シミュレーションによる新材料・新機能の開発： 前川禎通((独)原研先端基礎研究センター長)
15:30〜15:50 (CREST) 電荷レス・スピン流の三次元注入技術を用いた超高速スピンデバイス： 家形諭(九大 助教）
15:50〜16:10 (さきがけ) 分子を介したスピン流の制御： 白石誠司（阪大教授）
16:10〜16:30 (さきがけ) スピントロニクスデバイス用室温ハーフメタルの探索： 高橋有紀子（物材機構 主幹研究員）
<フォトニクス関連>　（17:00〜18:15，司会・取纏め　PETRA　中村部長）
17:00〜17:20 (TIA) 荒川PJ紹介： PETRA中村部長
17:20〜17:40 （さきがけ） 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能： 片山竜二（東北大准教授）
17:40〜18:00 (さきがけ) 光配線LSI実現に向けたGeナノ光電子集積回路： 竹中充（東大准教授）
18:00〜18:15 JST-TIA連携　討議
12.11.14-159:00-17:30 さきがけ次世代デバイスの最終の成果報告会が秋葉原のアキバホールで開催されました。今回のテーマは、「次世代革新的デバイスのパラダイムシフトを目指して」です。 特別講演1：東大物性研大谷先生「スピントロニクスの”これまで”、そして”これから”」
特別講演：東大生研平本先生「Beyond CMOSへの気体と課題」； Beyond CMOSを語るならCMOSをもっと知るべきだ。また、CMOSの関係者もBeyond CMOSを学ぶべきだ。 		佐藤総括プレゼンパワポpdf 佐藤総括 大谷先生特別講演１ 平本先生特別講演２ 聴衆
パーティ パーティ パーティ パーティ パーティ パーティ パーティ パーティ パーティ
12.10.2613:00から19:00、同じ戦略目標を共有するCREST渡辺領域・さきがけ佐藤領域の初の合同ワークショップがK's五番町２F A2会議室で開催されました。今回のテーマは「集積化システムのための次世代デバイス技術」です。
CREST渡辺領域の遠藤領域参事のレポート（渡辺領域のNews 12-7)をいただきました。
CREST・さきがけジョイントワークショップ「集積化システムのための次世代デバイス技術」 		聴衆 遠藤代表 冨岡研究者
李研究者（鳥海チーム） 竹中研究者
パネル討論司会高木先生 パネル１
12.10.1813:00から17:00、第10回ミニワークショップがK's五番町４F A会議室で開催されました。今回のテーマはいま注目度抜群の冨岡研究者のナノワイヤFETとスピントランジスタをめざす中村研究者のSrTiO3におけるラシュバ効果の検出でした。 冨岡研究者の発表 中村研究者の発表
12.09.28水落研究者が永瀬賞を受賞しました。　
12.09.27西永研究者がMBE国際会議Young Investigator MBE Awardを受賞しました。　
12.09.20齊藤研究者が第11回（2012年）ドコモ・モバイル・サイエンス賞（基礎科学部門　優秀賞）を受賞しました。　
12.10.03第1期生高橋有紀子研究者が日本磁気学会優秀研究賞を受賞しました。受賞題目は「磁性薄膜のナノ構造解析とそ高機能材料。デバイス開発への展開」　
12.08.17JST科学コミュニケーションセンターが制作したサイエンスニュースで冨岡研究者の「ナノワイヤトランジスタ」が取り上げられました。「理論的限界を超えた！次世代トランジスタが実現」
12.08.03日刊工業新聞でで冨岡研究者の最近Natureに掲載された論文が「ナノワイヤで立体トランジスタとして紹介されました。 記事
12.08.02JSTニュース８月号で冨岡研究者の研究が特集されました。 「トンネルトランジスタ」で道が開けた！ 理論限界を突破する省エネデバイス、と題して4頁にわたって紹介されました。(pdf file)
12.07.1913:00から17:00、第9回ミニワークショップがK's五番町４F　E会議室で開催された。今回のテーマは、「光インターコネクション」で、竹中、高橋（和）の２研究者によって企画された。
はじめに、竹中研究者から「光配線LSI実現に向けたSi photonicsの現状」というtutorialな話があった。現在の金属配線は電力消費による限界を迎えつつある。2006年Luxtera社は、Si光素子と周辺電子回路をモノリシック集積したチップを発表、Siフォトニクスが一気に加速した。その後IBMが光配線LSIのコンセプトを発表。しかし、光配線が電気配線より有利になるためにはoffn chipで10-20fJ/bit, on chipで2-7 fJ/bit以下というシビアな低消費電力を実現しなけらばならない。各要素技術をみるとLDは現状では10fJ/bit以下のデバイスはない。光変調器も現状では10ft/bit達成可能なデバイスはない。 PDについてのみ、Ge-PDで1-10fJ/bit達成可能。LDについてフォトニック結晶などhi-Q胸式との組み合わせに期待。オールSiを脱却してIII-V/Si photonicsも視野に入れるべき。
次いで、高橋研究者から、「フォトニック結晶ナノ共振器シリコンラマンレーザーの開発」と題して、フォトニック結晶の原理、研究トレンド、2次元フォトニック結晶VICSEL、ナノ共振器と量子ドット、ナノ共振器と導波路の組み合わせなどによって機能性の向上が図られたことなどのイントロの後、高橋研究者が取り組んできたシリコンラマンレーザについて、インテルの先行研究と比較しながら、彼の研究の背景と研究計画および現在までの経緯について述べた。現在ラマンレーザー発信直前まで到達しており、本来Siでは出ないはずのSHG発生の問題を見いだし、これを避けるために、パルス励起によるラマンレーザー発信を目指すことについて述べた。アドバイザ、研究者、JST関係者あわせ15名が参加、熱心にディスカッションがなされ、非常に実り多いワークショップであった。		 竹中研究者の発表 高橋研究者の発表
12.07.021期生の高橋有紀子研究者が、 JST News 7月号の裏表紙の「先駆ける科学人」コーナーで「社会の役に立つ新材料を発見したい」として紹介されました。 表紙 先駆ける科学人
12.06.18 14:10さきがけ「次世代デバイス」最終年度サイトビジットで北大量子集積センターに冨岡克広研究者を訪ねました。
先日新聞を賑わしたナノワイヤトランジスタの今後の研究方針を話し合いました。特に、ナノワイヤトランジスタのドレーン・ソース特性がる飽和しない問題、ゲート特性に見られる2段傾斜の問題の解決方法、および、Si(100)基板へのナノワイヤ傾斜成長について詳細なディスカッションを行いました。		 meeting scene meeting scene
12.06.18 12:30さきがけ「次世代デバイス」最終年度サイトビジットで北大電子研に海住英生研究者を訪ねました。
海住研究者は、磁性体薄膜(Ni, Co, FeNiなど)を十字に組み合わせ、間に有機物(Alq3など)を挟んだナノ接合を作り、非線形I-V特性などの新機能を追求して来ました。興味深い現象が出ており、論文や特許を取っています。当初目指した実用的なメモリ効果を得るために、系統的な研究を進めようということとなりました。		 meeting scene meeting scene labo visit
12.06.11さきがけ「次世代デバイス」最終年度サイトビジットで農工大小金井キャンパスに中野研究者を訪ねた。彼は、この4月東大から農工大工（有機材料）に専任講師として赴任したので、学科長の米沢先生にお会いし、さきがけ研究へのご配慮をお願いした。
中野研究者は、有機半導体デバイス開発の一環として、ヘテロアセンの合成、および、ヘテロアセンの高秩序配列の研究に取り組んできた。合成したジオキシペンタセンを用いてSiO2上に安定にFET素子を製作することに成功、ついで、溶液法・液晶状態を介した長距離配列制御に取り組み、液晶化に最適な置換基としてアルキル基置換を導入、熱処理によりFET特性の向上を確認した。		 with chairman meeting scene meeting scene labo scene
12.06.0715:00 富岡研究者は「トランジスタの理論限界を突破 次世代省エネデバイス実現へ」という記者発表を行いました。
富岡研究者らは、トランジスター構造を縦型にし、ラップ状にゲート電極を作ることで、電流のリークを抑えました。さらに、ナノメートルスケールの結晶成長技術によってシリコンとインジウムヒ素（ＩｎＡｓ）ナノワイヤ界面を形成し、その界面で生じる電子のトンネル効果による電流をスイッチ素子に使うことで、サブスレッショルド係数の理論限界６０ｍＶ／桁を大幅に超える２１ｍＶ／桁を初めて達成しました。
この結晶成長技術を用いた界面構造は、従来の不純物ドーピングや化合物半導体などの手法における技術的なボトルネックを回避できるため、本来トンネルトランジスターが示せる小さなサブスレッショルド係数を実現しました。
この研究成果は、ハワイで開催されたVLSIシンポジウム2012の招待講演として6/12に発表されました。【プレスレク配付資料】 		（福島民報）　フジサンケイビジネスアイ
(共同通信)　 （時事通信）　 （電気新聞）　（毎日新聞）
（京都新聞）　（河北新報）
（日経6/13夕刊1面）　（北海道新聞6/13夕刊1面）
nanowire transistor press lecture
press lecture press lecture press lecture press lecture
12.06.04PMさきがけ「次世代デバイス」最終年度サイトビジットで大阪府大に高橋研究者を訪ねた。彼は、フォトニック結晶を用いてシリコンのラマンレーザの実現に取り組んでおり、200万という高いQ値をもつ共振器をくみあわせ,nWという非常に微弱な光励起でラマン線を観測できており、あと一歩でレーザ発振するところまで来た。これが成功するとSi光配線の実現に大きなインパクトを与えるはず。がんばって欲しい。（ディスカッション風景の写真がどういうわけか写っていない！） university labo scene1 labo scene2
12.06.04AMさきがけ「次世代デバイス」最終年度サイトビジットで阪大基礎工（豊中キャンパス）に中村研究者を訪ねた。誘電体酸化物(KTaO3, SrTiO3)をスピントランジスタに用いる研究において、電圧に対して３次のRashba効果を見出したが、なぜそうなのか理論家もお手上げとか。２ヶ月ほど米国に滞在して向こうの学者達と議論するという。 meeting scene1 meeting scene2 MBE machine
12.04.26分子科学研究所に山本浩史研究者を訪ね、強相関系有機トランジスタ開発の研究進行状況について話をうかがった。理論解析に資するような基礎的なデータをきちんととることによって設計指針が得られるのではないかというような話し合いをした。大峯所長にお会いし、支援をお願いした。
12.05.14-15第10回領域会議が2日にわたり、名古屋市の邦和セミナープラザで開催されました。まとめpdf(500MB)
・野田研究者：Ni+Cホットエッチング有望　・山本研究者：有機物超伝導の電界制御：世界オンリーワン　・町田研究者：BN基板によって進展。インパクトのある結果を！　・東脇研究者：AlN/Ga2O3に期待?中村研究者：STOでk3項の重要性を発見　・野口研究者：玉田研の6nm金粒子で大きく進展　・海住研究者：Co/epoxy/silica CMPで有望な結果　・富岡研究者：ナノワイヤFET,進展はすごい。世界最高SS達成。　・組頭研究者：Fe3O4/Al界面のフィラメント？　・高橋研究者：あと一歩でラマンレーザ、粘り強く！　・中野研究者：ジオキシペンタセン：理想分子配列　・西永研究者：C60とGaAsの電子状態の関係を深く！
 meeting scene1 meeting scene2 hatano波多野アドバイザ特別講演 chiba千葉さん招待講演
12.04.27高エネルギー研フォトンファクトリー(PF)に組頭広志研究者を訪ね、PF内の見学を行った後、高クラーク数元素を用いたRRAM開発の研究進行状況について話をうかがった。当初計画のAl/Fe3O4のRRAMは、繰り返し耐性がなく、フィラメント形成型で、界面が不安定であることが明らかになった。他の安定な鉄酸化物を界面に堆積する研究、または電極を安定な金属に変えて、動作を観察することを通じメカニズムの解明の研究を進めることになった。最後に施設長にお会いして研究に対する支援をお願いした。
12.04.26千葉大学理学部2号館に野口裕研究者を訪ね、光制御型単電子デバイス開発の研究進行状況について話をうかがった。当初計画のドナーアクセプタ有機分子の導入が遅れたが、並行して進めてきた色素ドープ単電子デバイスにおいて大きな研究進展があり、光応答の詳細について研究を深めることになった。
12.04.25東大先端科学技術研究所に町田友樹研究者を訪ね、グラフェン量子ドットデバイス研究の進捗状況について話を伺った。これをうけて今後の方向性を話し合い、研究は順調に進んでいくことを確認、さらに最近取り組んだBN上にグラフェンを作製する技術がよい結果を出しているので、これを使って応用的によりインパクトのある「グラフェン電子デバイスのポテンシャル」を示すインパクトのある研究に注力する研究方針で合意した。
12.04.24JSTのトップページにあるコンテンツニュース（画面更新するたびリロードされる）に水落研究者の成果が掲載されました。 量子暗号通信が身近に？！
12.04.24早稲田大学理工学部に西永慈郎研究者を訪ね、有機・無機半導体ヘテロ構造デバイス研究の進捗状況について話を伺い、今後の方向性を話し合った。デバイスの前に、基礎的な電子状態を明確にする研究に注力する方向で研究を進める方針を話し合った。
12.4.17高橋有紀子研究者および中岡研究者が平成24年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞を受賞しました。若手科学賞　受賞者一覧
12.04.23午後、東大工学部に野田優研究者を訪ね、各種カーボン構造体の実装研究の進捗状況について話を伺い、今後の方向性を話し合った。
12.04.23午前中小金井市の情報通信研究機構NICTに東脇正高研究者を訪ね、III族酸化物/窒化物界面研究の進捗状況について話を伺い、今後の方向性を話し合った。
12.4.17高橋有紀子研究者および中岡研究者が平成24年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞を受賞しました。若手科学賞　受賞者一覧
12.04.1314:00 水落研究者とCREST産総研山崎研究者は「ダイヤモンドＬＥＤで光子を１個ずつ室温発生させることに世界で初めて成功〜盗聴不可能な量子暗号通信への応用に道〜」という記者発表を行った。
マイナビニュース(エンタープライズ/エレクトロニクス)2012.4.16
Laser Focus World Japan
Physics World（by Institute of Physics, 英国物理学会）"New single photon source could boost quantum cryptography"
Nature誌のハイライトに選ばれました。"Diamond sparkles with one photon "
朝日新聞（西日本版）17面
日経産業2012.4.17 9面
日刊工業2012.4.16 17面 		プレスレク配付資料
Nature Photonics online(4/15)に掲載
12.03.29第2期卒業生から水晶の巨大結晶を頂いた。3/15にいただいたデジタルフォトフレームと一緒に領域事務所に飾った。
12.03.1518:30-21:00、第2期生の修了証授与式が懇親会場となった「Ｂｉｓｔｒｏ　ＡＴＴＯＮ」で開催され、懇親会を欠席した1名を除く8名の修了生に修了証を、FIRSTに飛び級した1名に認定証を手渡した。
12.03.159:00から17:45、第2期生の成果報告会が第59回応用物理学会関係連合学術講演会（早稲田大学）のシンポジウム「ポストスケーリング時代における次世代革新的デバイスおよび材料の探索」として開催されました。150名以上の聴衆を得て多数の立ち見がでるほどの評判でした。
12.01.2413:00から17:30、第8回ミニワークショップがK's五番町４F　A会議室で開催された。今回のテーマは、「有機・分子デバイス」で、西永、野口、中野の３研究者によって企画された。
（１）西永研究者：有機・無機半導体ヘテロ構造を用いた?新規デバイスの開発（無機半導体GaAsにC60をデルタドープ。GaAsのRHEEDストリークはC60のドープ後も連続。C60分子軌道とGaAsのバンドの関係を明らかにするのが課題。有機半導体にフェルミ準位の考?えは適用できるか）
(2)野口研究者：有機エレクトロニクス素子の概要と電荷注入・蓄積界面における諸問題（有機半導体のp型、n型は電極との関係で決まる。同じペンタセンが電極の選択?で両極性になる。積層型の場合エネルギーダイヤグラムのバンドベンディングは、仕事関数だけでは決められない。?・・・）
(3)中野研究者：分子配列制御による有機トランジスタの高性能化（ペンタセンを超える安定で高移動度の有機半導体の創製を目指す。ヘテロアセンに元素・置換基による?物性制御。液晶性分子を使って分子配列制御し高移動度を?めざす。移動度はTRMC移動度とFETの電界効果移動度とで大きな違いがある。デバイスとして移動度が大きくなければ無意味。）
　無機の研究者と有機の研究者とで、エネルギーダヤグラムのとらえ方が大きく異なっており、対話とアドバイザの助言により、かなり互いの解釈の間に歩み寄りが得られた。
12.01.10 応用物理学会誌Vo.81 No.1 (2012) の表紙に冨岡研究者の研究の図が採択されました。また、本さきがけ領域に関係する記事がいくつかありました。
・研究紹介「半導体ナノワイヤデバイスの展開」（冨岡克広、福井孝志）pp59-63
・功労会員の随想「変幻自在こそ応用物理学会の魅力」（佐藤勝昭）p.65
・基礎講座「スピントロニクス−エレクトロニクスにおける役割とは？」（齊藤英治）pp.71-74 		応用物理1月号表紙 [表紙のことば]有機金属気相選択成長法で作製したSi(111)基板上のGaAs垂直ナノワイヤアレイ（直径80nm, 高さ2μm）の走査電子顕微鏡像。Si最表面の原子配列を制御することで、III-V族ナノワイヤの成長方向を基板表面に対して垂直方向にすることができる。
12.01.16 「NIMSの深田直樹博士（JSTさきがけ「次世代デバイス」1期生）が、ナノシリコンを使って太陽電池発電量を100倍にできる技術を開発した。」との日経報道があった。
[ 深田氏から誤記の訂正要望がありました】
記事に重大な誤?記があり、現在までそれに振り回され続けていました。 記事には、発電量100倍と書かれてしまったのですが、私は接合面積が100倍としか言っていません。また、計算で100倍の電力?量になったと書かれていますが、その計算も行っていません。行ったのは面積の計算だけです。今も多方面から問い合わせがあり、その訂正に苦慮しているところです。皆さんからの風当たりが相当強く、自分が主張してしまったことであれば、仕方が無いということになりますが、記者の勝手な解釈（おそらく、インパクトを狙ったのでは？）で信頼を損なう事態になっており、悔やみきれません。もし、周りの方であの記事のことが出た場合にはそのよう?にお伝えください。 		NIMSの公式発表
NIMS News
「自己バンドギャップ変調を持つ接合ナノワイヤ構造体の高速形成」
ここに「なお、2012年1月16日の日本経済新聞朝刊に同様の趣旨の記事が掲載されていますが、これは研究を担当する深田グループリーダーの意図する表現にはなっておりません。」と記載されています
11.12.01IBM科学賞授賞式が東京神田の学士会館であり、さきがけ1期生の齊藤英治研究者、村上修一研究者が物理部門で同時受賞しました。受賞理由は「スピンホール効果/?逆スピンホール効果の先駆的研究とスピン流物理の展開」です。
11.11.18さきがけ研究事務所が五番町に移転します。最寄りは、JR市ヶ谷駅です。
新住所：〒102-0076東京都千代田区五番町７　K's五番町5階　		　領域事務所　K's ビル　
11.10.31-11.2第9回領域会議が3日にわたり、奈良大和郡山市のビジネスホテル大御門で開催されました。まとめpdf(500MB)
10/?31には、卒業した1期生の葛西、高橋(有)、深田、村上、安田、?山口、若林の７名が参加、ショートプレゼンテーションのあとポス?ターで最新の状況を報告していただきました。
11/1-11/?2の2日間は2期生、3期生からの研究進捗状況について報告がありまし?た。2期生は来年3月に卒業するので、最後の領域会議となりました。
各?研究者は、研究総括のサイトビジットでのアドバイスに沿って、選?択と集中をはかっていることが報告から読み取れました。
2期生で大き?な進展があったのは、竹中、浜屋、水落、寒川、小林の各研究者で?した。
 Oomikado_area
会場付近スケッチ
11.10.20, 27齊藤英治研究者らが「さきがけ」で開拓した絶縁体中のスピンゼーベック効果がＮＨＫのサイエンスゼロで紹介されます（番組の最後７分ですが）。2011年10月20日(木) [Eテレ] 午後6：55〜午後7：25、2011年10月27日(木) [デジタル教育2] 午後2：00〜午後2：30　
11.10.14佐藤領域ミニワークショップを開催しました。量子情報デバイスに関す?る話題提供が、中岡、水落研究者からありました。
中岡研究者は、量子ビット(qubit)の考え方についてチュ?ートリアルな話をした後、研究中の半導体量子ドットの縦型発?光デバイスが重要であることを述べました。 水落研究者は、ダイヤモンドNV中心を用いた単一量子ド?ットの電流注入発光をみいだしたこと、量子もつれ状態の?４つの「ベル状態」を観測することに成功したこと、NT?Tと共同で行った超伝導量子ビットとの結合について述べまし?た。
11.10.12水落研究者とNTTの共同研究の成果が量子メモリーの原理実験に成功 − ダイヤモンドと超伝導量子ビットを直接組み合わせたハイブリッド系の量子状態制御に世界で初めて成功 − がプレス発表されました。
この中で、「なお、今回の共同研究は、NTTの研究所の仙場浩一主幹研究員のグループと大阪大学の水落憲和准教授が量子情報処理プロジェクトの研究会でダイヤモンド量子メモリーについて議論をしたことがきっかけで急展開しました。」と書かれております。
日経産業, 日刊工業,Asahi.com,マイコミジャーナル 		記者会見の模様の動画
11.10.09浜屋研究者の論文がApp?lied Physics LettersのHighlightsに選ばれ、APLのホームページのトップページを飾りました。
11.10.03JSTの役員の交代があり、東京本部のJSTホールでセレモニーがありました。
新理事長：中村道治、新任理事：鴨野則昭、新任監事：服部博美；退任理事長：北澤宏一、退任理事：藤原正博、退任監事：齋藤公彦
11.09.29JSTでは、平成23年度のS-イノベ（戦略的イノベーション創?出推進プログラム) の研究開発テーマとして「スピン流を用いた新機能デバイス実現に?向けた技術開発」に決定、9/29の正午より公募を開始しました?。公募締め切りは11/7です。このプロジェクトは、JST戦略的創造研究推進事業等の成果から産業創出の礎となる研究開発テーマ（以下、テーマ）を設定し、当該テーマの下で公募選定された産学連携による複数研究開発チームの下で長期一貫（最長１０年）した研究開発を進めます。S-イノベの公募ページ
11.07.31野口研究者が、「有機ＥＬ討論会　第12回例会講演奨励賞」を受賞しました。有機EL討論会のホームページ
11.07.25サイトビジット
東北大(金研)・片山竜二研究者
(最終年度研究方針確認)窒化ガリウム上にTiO2を積層して非線形光学応答をめざすこれまでの研究状況を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.07.15組頭研究者の研究成果が「強相関電子を２次元空間に閉じ込めることに成功―新たな高温超伝導物質の実現や、電子素子作りに道を拓く―」としてプレス発表（東大・ＫＥＫ・JSTとの共同）されました。
組頭広志研究者らは、電子同士が互いに強く影響し合う性質をもった「強相関電子」を２次元空間（層）に人工的に閉じ込める「量子井戸構造」を作製することに世界で初めて成功しました。レーザーを使った結晶成長の技術を駆使し、伝導性をもつ酸化物を原子層レベルで精密に制御しながら作製しました。高エネルギー加速器研究機構（KEK）の放射光注３による高精度な分光法で電子の振る舞いを詳細に調べ、強相関電子が2次元空間に閉じ込められていることを確認しました。
福井新聞、河北新報、日経産業、日刊工業に掲載されました。
PESで量子化された準位を確認
Metallic Quantum Well States in Artificial Structures of StronglyCorrelated Oxide; Science 15 July 2011

11.07.0113:00-15:00 第52回本多記念賞、第8回本多フロンティア賞、第32回本多記念研究奨励賞、第51回原田研究奨励賞の贈呈式が東京神田の学士会館で行われた。本領域1期生高橋有紀子研究者が本多記念研究奨励賞を受賞しました。受賞対象研究：微細組織制御による超高密度FePt磁気記録媒体の開発 高橋有紀子さんに村上理事から賞状が贈呈
11.06.01-02第8回領域会議が2日にわたり、北海道千歳市のホテルグランドテラス（旧日航ホテル千歳）で開催されました。総括イントロパワポ(pdf 760MB)
１期生のうちライフイベントで２ヶ月終了が延期された高橋有紀子研究者の終了式がありました。彼女は、２０種類以上の新しいホイスラー合金を作成、PCAR法で74%という高いスピン偏極率をもつ材料を発見、また、CPPGMR素子としては最高性能のGMR比を達成しました。すでに卒業した1期生も葛西、齊藤、白石、塚本、深田、村上、安田、山口、若林の９名が参加、近況を報告していただきました。卒業後もみんなすごくがんばっています。２期生、３期生もどんどん成果が出ています。２期生のうち、本領域からFIRSTに飛び級した福村研究者からも近況報告がありました。粟野アドバイザに特別講演をしていただきました。ITRSのERM, ERD中心に話された後、国際標準化の重要性を強調されました。 		日航ホテル千歳
会場スケッチ
11.05.3113:00-17:00 第6回ミニワークショップが北大エンレイソウ開催され、須崎研究者、東脇研究者、寒川研究者から話題提供があり、熱心な討論が行われました。エンレイソウスケッチ
11.05.27福村研究者の研究成果が
「電圧で磁気を制御できる新しいトランジスターの開発に成功 」
−室温での電気的な磁性のスイッチングに道−
というタイトルでプレス発表（JSTと東大・東北大との共同）されました。
日経産業、日刊工業、化学工業、科学新聞に掲載されました。 		voltage-controlled magnetic semiconductor電圧で磁性が制御される様
11.05.24PMサイトビジット
阪大(吹田キャンパス)・川山巌研究者
(最終年度研究方針確認)高温超伝導体ナノブリッジの光応答のこれまでの研究状況を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.05.24AMサイトビジット
阪大(豊中キャンパス)・水落憲和研究者
(最終年度研究方針確認)ダイヤモンドNVセンターのEL発光研究の研究成果を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.05.23PMサイトビジット
九州大(伊都キャンパス)・浜屋宏平研究者
(最終年度研究方針確認)Fe3Si/Siスピントロニクス研究のこれまでの研究成果を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.05.23AMサイトビジット
九州大(筑紫キャンパス)・寒川義裕研究者
(最終年度研究方針確認)LiN-Al溶液からAlNを成長する研究のこれまでの研究状況を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.05.132011年5月13日　高橋有紀子研究者が第３２回本多記念研究奨励賞を受賞することになりました。本多記念賞ホームページ
11.05.11サイトビジット
上智大・中岡俊裕研究者
(最終年度研究方針確認)量子ドットトランジスタに関する研究成果を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.05.09PMサイトビジット
筑波大・小林航研究者
(最終年度研究方針確認)熱整流効果、熱ホール効果に関する研究成果を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.05.09 AMサイトビジット
東大・竹中充研究者
(最終年度研究方針確認)GOIによるGe-PDの開発成果（気相拡散・GeO2パシベーション）を踏まえ、今後の研究指針を討論
サイトビジットでのディスカッション風景
11.04.28サイトビジット
東工大(長津田キャンパス)須崎友文研究者
(最終年度研究方針確認）酸化物接合界面における電子状態の仕事関数の原子面依存性等を討論		　
11.04.21福村研究者の論文がScience誌に掲載されます。　
11.03.25齊藤英治研究者と浜屋宏平研究者が第５回日本物理学会若手奨励賞を受賞することになりました。　
11.03.25村上修一研究者が日経サイエンス2011年5月号「フロントランナー挑む」で紹介されました。p1, p2
11.03.11東北関東大地震・大津波発生、さきがけ「次世代デバイス」研究者全員の無事を確認しました。
研究設備が破損、不具合になった場合の支援を検討します。		　
11.03.03上野にある日本学士院において、秋篠宮ご夫妻のご臨席のもと、第7回日本学術振興会賞、および、第7回日本学士院学術奨励賞の授賞式がありました。本さきがけ領域から、齊藤英治研究者、福村知昭研究者が学術振興会賞を受賞しました。また、齊藤英治研究者は、学士院学術奨励賞も受賞しました。また、秋篠宮のおことば、文部科学大臣祝辞のあと、齊藤研究者が受賞者代表挨拶を行いました。審査経過報告秋篠宮おことば齊藤氏受賞者代表あいさつ
11.02.17-19JST戦略的創造研究事業の第２回国際的評価委員会が開かれ、佐藤は、さきがけ研究総括として、さきがけ事業の紹介をするとともに、さきがけ研究経験者によるプレゼンのモデレータを務めました。さきがけ事業の紹介をする佐藤総括国際諮問委員の質問に耳を傾ける佐藤総括ＪＳＴの広報に関する質問に答える佐藤総括
11.02.14齊藤英治研究者が学士院学術奨励賞を受賞することになりました。３月３日に都内で授賞式があります。さきがけ研究者では、6人目です。 その中でさきがけ現役で受賞されたのは東京医科歯科大の高柳広先生と齊藤先生だけです。快挙です。朝日ドットコムのニュース
11.02.10深田研究者と福村研究者が最先端プログラムに選ばれました。内閣府公表：研究者・研究課題の内訳
11.02.03葛西研究者の研究「確率共鳴を利用する電子ナノデバイスの開発」が サイエンスニュース（JSTのインターネットでの動画ニュース）に紹介されました。
確率共鳴を利用する電子ナノデバイスの開発
11.02.03齊藤英治研究者と福村知昭研究者が第７回学術振興会賞を受賞することになりました。当領域からは２名推薦し２名の受賞となりました。第7回（平成22年度）日本学術振興会賞受賞者一覧(学振ホームページ)
11.01.11-13第7回領域会議が大阪市のチサンホテル新大阪で開催されました。
研究総括イントロのパワポ
第1期生にとっては最終となる領域会議。1/11のプレゼン終了後、葛西、齊藤、白石、谷山、塚本、深田、村上、安田、山口、若林の10研究者に総括が修了証を手渡しました。(ライフイベントのために開始が3ヶ月遅れた高橋(有)研究者には、第8回領域会議で手渡します。)
光創成領域からの永井研究者、界面領域からの塚崎研究者を加えて、35名のさきがけ研究者達が研究進行状況や成果を報告、熱心な討議が深夜まで続きました。 		集合写真　
10.12.0913:00-18:00 ミニワークショップが開催され、小林航研究者、村上研究者、海住研究者から話題提供があり、熱心な討論が行われました。
第5回ミニWS写真
10.12.07佐藤研究総括、齊藤研究者、村上研究者が、応用物理学会スピントロニクス研究会主催の入門セミナーの講師をしました。　
10.12.06佐藤研究総括は、JSTシンポジウム「世界を魅せる日本の課題解決型基礎研究」のパネル討論「目利きが選び育ててきた科学技術の未来とは」において「さきがけ研究が果たしてきた役割」と題して話題提供しました。シンポジウム報告サイト　
10.11.10村上研究者サーマーティンウッド賞受賞
(英国大使公邸で授賞式）
受賞記念講演　　英国大使公邸
10.09.22サイトビジット
筑波大(自然科学系物理)・小林　航
(研究機関移動に伴う上司挨拶をかねて）
守友教授と記念撮影
10.09.15第1期生の成果報告会が応用物理学会学術講演会（長崎大学）のシンポジウム「次世代革新的デバイス創成を指向した物理とテクノロジーの探索」として開催されました。150名以上の聴衆を得て多数の立ち見がでるほどの評判でした。応用物理学会への報告(シンポ代表者葛西による)
10.07.15深田研究者の研究成果が
「直径20nmのゲルマニウムナノワイヤでの不純物分光に成功 」
−次世代縦型トランジスタ材料の新しい評価技術の確立-
というタイトルでプレス発表（NIMSとJSTの共同）されました。		nanowire
10.07.14第1期生の成果報告会を2010年9月15日に応用物理学会学術講演会（長崎大学）のシンポジウムとして開催します。
成果報告会のホームページを解説しました。		チラシ(12.6MB)
10.07.05サイトビジット
東大(理学系化学)・福村知昭
(研究機関移動に伴う上司挨拶をかねて）
長谷川教授と記念撮影
10.06.23サイトビジット
日大・塚本新研究者
(最終年度研究方針確認)超高速光磁気応答の原因究明について討議。
サイトビジットでのディスカッション風景
10.06.17サイトビジット
北大・葛西誠也研究者
(最終年度研究方針確認)確率共鳴現象応用の効用をアピールする方法、ライフサイエンスの研究者を巻き込んで分野を確立するを討議。
サイトビジットでのディスカッション風景
10.06.14サイトビジット
東工大(大岡山地区)・村上修一研究者
(最終年度研究方針確認)トポロジカル絶縁体の理論における新たな展開について議論した。
サイトビジットでのディスカッション風景
10.06.11齊藤研究者の研究「絶縁体で電気信号を伝える電子スピン流」がサイエンスニュースサイエンスニュース（JSTのインターネットでの動画ニュース）に紹介されました。
絶縁体で電気信号を伝える電子スピン流
10.06.08サイトビジット
東工大(長津田地区)・谷山智康研究者
(最終年度研究方針確認)Co/FeRhにおけるスピン注入によるFeRh磁気相転移を電気的に確認したが、光学的直接観察を示唆した。
サイトビジットでのディスカッション風景
10.06.07サイトビジット
ＮＩＭＳ(千現地区)・安田剛・高橋有紀子研究者
(最終年度研究方針確認）安田研究者：ポリマー延伸による電気特性変化の物性追求を議論
高橋研究者：点接触アンドレーフ反射測定によるスピン偏極率評価法について議論
サイトビジットでのディスカッション風景
10.06.04白石研究者、齊藤研究者の研究が、JSTニュース2010年第3号(6月4日発行)の特集「スピントロニクスはシリコンデバイスを超えられるか?」として紹介されました。
10.06.03サイトビジット
ＮＩＭＳ(並木地区)ＭＡＮＡ・若林克法・深田直樹研究者
(最終年度研究方針確認)若林研究者には未公表の研究成果の刊行を要請、さきがけの他の研究者との共同研究をエンカレッジ、深田研究者にはPL、ODMRなどによる評価方法を示唆した。
サイトビジットでのディスカッション（若林研究者）［深田さん、ごめんなさい。写真忘れ］
10.05.27サイトビジット
つくば大(数理物質科学研究科)・水落憲和
(研究科配置換えに伴う上司挨拶をかねて）
秋本研究科長と記念撮影
10.05.26サイトビジット
NICT(情報通信研究機構)・東脇正高
採択課題「III族酸化物／窒化物半導体複合構造の界面制御とデバイス応用 」(UCSBから帰国原職復帰に伴い訪問）
寶迫グループリーダー、川西プログラムリーダと記念撮影
10.05.24サイトビジット
阪大・基礎工・白石誠司
(最終年度研究方針確認、学科移動に伴う上司挨拶をかねて）
潮俊光専攻長と会談（記念写真の撮影失念）
10.05.13サイトビジット
慶大・理工・山口明啓
(最終年度研究方針確認、上司教授変更に伴う挨拶をかねて）
能崎幸雄教授と記念撮影
10.05.12第4回ミニワークショップをＪＳＴ三番町１Ｆ会議室で開催しました。
白石研究者は、ルブレンへのスピン注入についての課題を述べ、さまざまな観点からアドバイスや議論がされました。町田研究者は、グラフェンの量子ドットを微細加工技術で作製し電気特性を測定したことを報告しました。野田研究者は、高密度ＣＮＴの創成、高速での生成について発表しました。
第4回ミニWS写真
10.04.29佐藤領域の研究者の領域マップをアップしました。JST領域総合運営部中井氏とのコラボによる
10.04.16-18第6回領域会議が福岡市のチサンホテル博多で開催されました。研究者３３名によるレベルの高い研究発表とホットな議論が行われました。さきがけ「界面の構造と制御」領域から赤坂技術参事と研究者２名（１期生斎藤さん、３期生好田さん）が加わり豊かな交流が進みました。JST広報から浅羽職員が参加し、領域会議がいかに活性化していて有効かを実体験してもらいました。
研究総括イントロのパワポ、まとめパワポ、集合写真
チサンホテル博多
10.03.15齊藤英治研究者の発表が国際的に注目されています。
Scientific American, physicsworld.com		　
10.03.113/10午後、齊藤英治研究者が文科省記者クラブでプレスレク「絶縁体に電気信号を流すことに成功」
■佐藤研究総括による解説
毎日新聞、河北新報が一面掲載。東京新聞、日経産業新聞に掲載されたほか、共同通信、時事通信、アサヒコム、日刊工業新聞のネットニュースに流れました。3/12には読売新聞夕刊、3/13には産経新聞にも掲載されました。 		毎日新聞'10.3.11　
10.02.2413:00-17:00 第3回ミニワークショップがJST三番町1F第3会議室で開催されました。
浜屋研究者・福村研究者に半導体スピントロニクスの話題提供をしていただきました。
第3回ミニワークショップ風景
09.12.21サイトビジット
東大・工・組頭広志
採択課題「ナノキャパシタ構造を用いた低環境負荷メモリの開発」
尾嶋正治教授と記念撮影
09.11.26-28第5回領域会議が、つくばで開催されました。今回は、３期生が加わり、研究者３３名全てが３日にわたりオーラルで発表しました。３期生から、多くのチャレンジングな提案がなされ研究者間でつっこんだ議論がされました。また、１期生・２期生の研究において大きな研究進展が見られ、充実した領域会議となりました。
研究総括イントロパワポ、まとめパワポ、集合写真
ホテルグランド東雲（つくば）
09.11.13サイトビジット
阪大・基礎工・中村浩之
採択課題「誘電体トランジスタを用いたスピン操作」
木村剛教授と記念撮影
09.11.13サイトビジット
阪府大・21世紀機構・高橋　和
採択課題「フォトニック結晶ナノ共振器シリコンラマンレーザーの開発」
石田武和教授と記念撮影
09.11.12サイトビジット
早大・理工・西永慈郎
採択課題「有機・無機半導体ヘテロ構造を用いた新規デバイスの開発」
堀越佳治教授と記念撮影
09.11.11サイトビジット
北大・電子科学研・海住英生
採択課題「スピン量子十字素子を用いた新規な高性能不揮発性メモリの創製」
石橋晃教授と記念撮影
09.11.10サイトビジット
北大・情報学研究科・冨岡克広
採択課題「Si/III-V族半導体超ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発」
福井孝志教授と記念撮影
09.11.09サイトビジット
千葉大・先進科学センター・野口 裕
採択課題「光制御型有機単一電子デバイスの開発」
石井久夫教授と記念撮影
09.10.30サイトビジット
東大・生研・町田友樹
採択課題「グラフェン量子ドットを用いた新機能素子の実現」
光田好孝教授と記念撮影
09.10.21サイトビジット
理研・和光・山本浩史
採択課題「電子相関を利用した新原理有機デバイスの開発」
加藤礼三主任研究員と記念撮影
09.10.19サイトビジット
東大・工学系・中野幸司
採択課題「分子配列制御による有機トランジスタの高性能化」
野崎京子教授と記念撮影
09.10.19サイトビジット
東大・工学系・野田優
採択課題「各種ナノカーボン構造体の自在実装」
山口由岐夫教授と記念撮影
09.09.04平成21年度採択者説明会がありました。
説明会参加者集合写真
09.08.27第3期生採択結果が発表されました。
120課題の応募があり、書類審査・面接を経て12課題が採択されました。ことしは分子・有機系が7課題となりました。		採択課題・研究総括総評
09.08.17サイトビジット
ＮＩＭＳ・ＭＡＮＡ・若林克法
広大助教から物質・材料研究機構(NIMS) 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(MANA)に「独立研究者」として転任されました。
青野拠点長と記念撮影
09.07.0713:00-17:00 第2回ミニワークショップが東北大・金研・4号館で開催されました。
葛西研究者・齊藤研究者に話題提供していただきました。Spin-Currentonicsについての提言がありました。
第2回ミニワークショップ風景
09.07.06サイトビジット
東北大・金研・齊藤英治
慶大講師から東北大金研教授に昇任されました。新しい地でいっそう研究を加速します。
中嶋所長と記念撮影
09.05.14-16佐藤総括は、さきがけ「物質と光作用」筒井領域の第6回領域会議（別府、杉乃井ホテル）に、安田・寒川研究者とともに参加しました。
(領域交流報告(pdf))
ホテルから仏舎利塔・国東半島方面を望む
09.04.23-24第4回領域会議が、仙台で開催されました。今回は、全アドバイザが出席していただき、研究者２１名全てがオーラルで発表しました。次世代デバイスに向けた斬新なアイディアが次々に出され、つっこんだ議論がされたので、充実した領域会議となりました。
研究総括イントロパワポ、まとめパワポ
KKRホテル仙台（仙台）
09.04.22サイトビジット
東北大・金研・片山竜二
東大助教から東北大金研准教授に昇任されました。スーパーバイザの松岡教授ともども金研の新設された建物に移転、400m2のスペースをもらわれたそうです。新しい地で心機一転、研究を加速します。
09.02.21第1回ミニワークショップ
山口・塚本２人の研究者に話題提供をしていただき、アドバイザをはじめ参加者に活発な議論をしていただきました。おかげで考え方が整理されてよかったという印象です。 		三番町１F会議室
09.02.17サイトビジット
筑波大・図書館情報・水落憲和
JST-DFG戦略国際事業でドイツに滞在しておられ、1月に帰国されたため遅いスタートとなりました。このため、サイトビジットも2月になってしまいました。
08.11.06サイトビジット
早大・高等研・小林航
08.10.30-31第3回領域会議(さきがけ「ナノ製造」横山領域と合同)浅草セントラルホテル（東京）
08.10.27サイトビジット
九大・応用力学研（春日）・寒川義裕
サイトビジット
九大・システム情報科学（伊都）・浜屋宏平
08.10.24サイトビジット
東北大・金研（片平）・福村知昭
08.10.10サイトビジット
東大・電気電子（本郷）・竹中充
08.10.07サイトビジット
東大・生研（駒場）・中岡俊裕
サイトビジット
東工大（長津田）・須崎友文
08.09.30サイトビジット
東大新領域(柏)・片山竜二
08.09.01研究者(二期生)説明会・懇談会三番町１F
08.08.11サイトビジット
物材機構(千現)・安田剛
九大からNIMSに主任研究員として転任されたので改めてサイトビジットしました。
サイトビジット
物材機構(千現)・高橋有紀子
産休から研究に復帰されたので、研究室を見せてもらいました。
総括・安田研究者とともに
08.06.05-06第2回領域会議
夢舞台（淡路島）
08.01.13-14第1回領域会議
第1回領域会議が葉山湘南国際村で開催され、各研究者がプレゼンを行った後活発な議論が展開されました。		ＩＰＣ生産性国際交流センター
07.10.24サイトビジット
慶大(日吉)・山口明啓
サイトビジット
慶大(日吉)・齋藤英治
07.10.23サイトビジット
阪大(豊中)・白石誠司
07.10.22サイトビジット
日大(習志野)・塚本新
07.10.18サイトビジット
東工大(大岡山)・村上修一		(カメラ持参せず)
サイトビジット
東工大(大岡山)・東工大(長津田)谷山智康		(カメラ持参せず)
07.10.10サイトビジット
NIMS(千現)・高橋有紀子
サイトビジット
NIMS(並木)・深田直樹
07.10.09サイトビジット
北大・葛西誠也
07.10.04サイトビジット
九大(大野城)・安田剛		(カメラ持参せず)
サイトビジット
広大・若林克法		(カメラ持参せず)
07.09.03研究者説明会・懇談会三番町１F

この領域について
領域設定目的 現在、生活のすみずみに使われている半導体デバイスですが、現在の主流となっているのは、シリコンのCMOSという集積回路です。これまでムーアの法則に従って、微細化・集積化が進みました、しかし、これ以上高密度に集積化する限界が間もなくやってきます。エネルギーの消費を抑え高速な情報処理が行われるためのデバイスを開発するには新しいコンセプト、新しい材料、あたらしいプロセスが必要です。
ターゲットこの研究領域では、Beyond CMOS（CMOSに代表される既存のシリコンデバイスを超える）の革新的な次世代デバイスを創成することを目標として、環境やエネルギー消費に配慮しつつ高速・大容量かつ高度な情報処理・情報蓄積・情報伝達を可能とする新しい材料の開拓およびプロセスの開発を図る挑戦的な研究を対象とするものです。
対象具体的には、高移動度ワイドギャップ半導体材料、スピントロニクス材料、高温超伝導体を含む強相関系材料、量子ドット材料、ナノカーボン材料、有機半導体材料などが挙げられます。
採択課題この領域では平成１９年度より、既存のシリコンデバイスを超える革新的デバイスを実現するための材料・プロセスの探索を目指して募集してきました。これまで3回の募集を通じて、スピントロニクス材料を中心に、ワイドギャップ材料、ナノカーボン、半導体ナノ構造、有機半導体、超伝導、強相関、サーモエレクトロニクス、新原理デバイスなど広い範囲にわたる分野から、チャレンジングな33課題を採択することができ、すでにめざましい成果をあげつつあります。
成果（１）スピントロニクス
高橋(有)研究者は、ホイスラーで最高のスピン偏極74%を得ました。
齊藤研究者は、誘電体中のスピン流伝導を世界で初めて検証しました。さらに、絶縁体においてスピンゼーベック効果を発見しました。
浜屋研究者はシリコンスピントロニクス室温動作を確認しました。
福村研究者は、TiO2:Coにおいて室温磁性半導体の電界による磁性制御に初めて成功しました。
山口研究者は磁気渦の運動の制御の電気的観察に成功、くさび形GMR素子においてラチェット効果を発見しました。
谷山研究者はCo/FeRh系でスピン注入によるAF→FM磁気相転移を見出したほか、スピン偏極の電界制御に成功しました。
水落研究者は、ダイアモンドの単一NV中心を用いて室温で４量子ビットの状態の操作を行い、さらに量子もつれ状態を実現しました。
（２）　半導体ナノ構造
深田研究者は、Geナノワイヤにおけるドーピングを初確認しました。コアシェル構造の作成に成功しました。
富岡研究者は、InAs/Siヘテロ界面をもつナノワイヤSGTを作製しIntelに匹敵する性能を得ました。
竹中研究者は、酸化濃縮法によって作製したGeのn-MOSFETにおいて on/off 比の最高値105を得ました。
葛西研究者は、半導体ナノワイヤで確率共鳴による応答高速化、多数のナノワイヤトランジスタで閾値ばらつきを利用した確立共鳴を実験的に検証しました。
（３）　ナノカーボン・有機物
白石研究者は、単層グラフェンにおいて室温でスピン注入できることを初確認しました。また、シリコンに純スピン流を注入することに成功しました。
安田研究者は、有機半導体を延伸することによって１０００倍以上の導電率の向上を確認しました。
若林研究者は、グラフェンリボンの電子状態を理論的に明らかにしました。
（４）　サーモエレクトロニクス： 小林研究者は、世界最高の熱整流比を達成しました。
村上研究者はBi系のトポロジカル絶縁体において大きな熱電効果を理論的に予測しました。
表彰・受賞 安田研究者：ナノ学会若手優秀発表賞, 第９回Chitose International Forum on Photonicsポスター賞,日本MRS学術シンポジウム奨励賞
葛西研究者：MNC2007優秀論文賞
齊藤研究者：サーマーティンウッド賞, 丸文研究奨励賞, IUPAP若手科学者賞, 日本学術振興会賞, 日本学士院学術奨励賞、日本物理学会若手奨励賞
白石研究者：応用物理学会論文賞
谷山研究者：東工大挑戦的研究賞
塚本研究者：MORIS2009最優秀ポスター賞
深田研究者：MRSポスター賞
福村研究者：文部科学大臣表彰 若手科学者賞,トーキン科学技術振興財団研究奨励賞,日本学術振興会賞
浜屋研究者：船井情報科学奨励賞, 安藤博記念学術奨励賞, 日本磁気学会論文賞, 日本物理学会若手奨励賞、文部科学大臣表彰 若手科学者賞
水落研究者：電子スピンサイエンス学会奨励賞,日本物理学会若手奨励賞
村上研究者：丸文研究奨励賞,本多記念学術奨励賞,文部科学大臣表彰若手科学者賞,サーマーティンウッド賞
山口研究者：日本磁気学会学術奨励賞（内山賞）
若林研究者：文部科学大臣表彰若手科学者賞
富岡研究者：応用物理学会講演奨励賞
高橋（有）研究者：本多記念学術奨励賞
野口研究者：有機EL討論会第12回例会講演奨励賞
課題別評価
期研究者名採択時所属終了時所属(現職)課題名研究結果論文学協会その他特許表彰
第1期生葛西誠也北大准教授北大准教授確率共鳴を利用した新しい情報処理のためのナノデバイスと集積化葛西研究者の提案は、通常のエレクトロニクスでは嫌われ者である「雑音」やデバイス特性の「ゆらぎ」を逆手にとって、「確率共鳴」によって雑音や揺らぎを利用して、エレクトロニクスデバイスの機能向上を図ろうというものである。
もっとよむ 		167043MNC2007優秀論文賞
齊藤英治慶大講師東北大教授誘電体スピントロニクス材料開拓とスピン光機能 齊藤研究者は、応募前すでに逆スピンホール効果によって金属に注入されたスピンの流れを電気信号としてとりだすことに成功していたが、本領域に応募するに当たって、あえて金属でなく「誘電体」においてスピンの流れを伝搬させるという困難な課題を選んだ。
もっとよむ 		3237145サーマーティンウッド賞, 丸文研究奨励賞, IUPAP若手科学者賞, 日本学術振興会賞, 日本学士院学術奨励賞、日本物理学会若手奨励賞
白石誠司阪大准教授阪大教授分子を介したスピン流の制御白石研究者は、炭素でできたグラフェンにスピンを流すという非常に挑戦的な課題に挑んだ。彼は、多層グラフェンにおいて4端子非局所法を使った地道で慎重な実験によって、世界で初めて信頼性のある純スピン流の注入と、それによる巨大磁気抵抗効果を室温で検証した。
もっとよむ 		156120応用物理学会論文賞
高橋有紀子NIMSNIMS主幹研究員スピントロニクスデバイス用室温ハーフメタルの探索熱力学的にL21構造が安定かつバンド構造から高い偏極率の期待される４元ホイスラー合金を数十種類合成し、PCAR法によるスピン偏極度の評価を行いました。
もっとよむ 		17　24第３２回本多記念研究奨励賞
谷山智康東工大准教授東工大准教授スピン偏極の外的制御とチューナブルスピン源の創製 スピンを利用したエレクトロニクスであるスピントロニクスの分野においては、スピンを材料に注入するが、これまでスピン偏極度を自由に制御することはできなかった。谷山研究者はチューナブルスピン源という困難な課題を独創的な方法で実現した。
もっとよむ 		235700平成１９年東工大挑戦的研究賞
塚本　新日大講師日大講師フェムト秒パルス・レーザによる超高速スピン制御・計測 回転していない独楽が倒れやすいように、角運動量のないときに磁化が高速で反転しやすいという発想を基礎に、光による超高速な磁化反転を実現した。
もっとよむ 		144820MORIS2009最優秀ポスター賞
深田直樹NIMS独立研究者NIMS独立研究者縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの開発 次世代デバイスとして高集積化可能な縦型構造を有するサラウンディングゲートトランジスタ（SGT)実現に向けたナノワイヤ成長制御技術、および機能発現のためのドーピングや評価手法の確立を進めてきた。
もっとよむ 		225404MRSポスター賞
村上修一東大助教東工大准教授(現：教授)デバイス応用に向けたスピン流と熱流の結合理論 熱流とスピン流という、これまで別々に論じられてきた流れの関係を明らかにし、2つの物理を統合することで、熱電変換材料、スピントロニクス双方の分野での物性理解を深め、新規な物性を開拓するという提案で研究を進めた。
もっとよむ 		148440丸文研究奨励賞,本多記念学術奨励賞, 文部科学大臣表彰若手科学者賞,サーマーティンウッド賞
安田　剛九大助教NIMS主任研究員π共役高分子鎖内の超高速電荷輸送を利用した有機トランジスタ 有機膜を引き延ばすことで配向をそろえ、主鎖分子内の高速キャリア移動を向上させ高性能有機ＦＥＴを実現する研究を進めた。
もっとよむ 		121141ナノ学会若手優秀発表賞, 第９回Chitose International Forum on Photonics賞,日本MRS学術シンポジウム奨励賞
山口明啓慶大助教慶大助教(現：産総研)ナノ磁性体集結群の新奇な磁気特性の究明 山口研究者の当初の提案は、磁性体ナノワイヤの集結構造を用いて、従来型の金属スプリット・リング共振器によらない左手系のメタマテリアルを実現しようというものである。
もっとよむ 		224901日本磁気学会学術奨励賞（内山賞）
若林克法広大助教NIMS独立研究者計算科学手法によるナノカーボン素子の設計と物性予測 ナノグラフェンの電子状態を明確にして、ナノグラフェンの電子物性を積極的に利用した電子デバイスの構築に貢献しようというものである。
もっとよむ 		175140文部科学大臣表彰若手科学者賞

領域事務所・スタッフ

技術参事泉　弘一
事務参事前田謹一郎
領域事務所2011.11.17まで：102-0075 千代田区三番町５ 三番町ビル3F2011.11.18から：102-0076東京都千代田区五番町７　K's五番町5階
TEL/FAXTEL:03-3512-3547, FAX:03-3512-3548
e-mail 研究総括：k7sato＠jst.go.jp, katsuaki.sato＠nifty.com
技術参事：kizumi＠mat-bcmos.jst.go.jp
(＠を@に変えて送信してください）
次世代デバイス"のホームへ 戦略的創造研究さきがけのホームへ JSTのホームへ 佐藤勝昭のホームページトップへ