| 拝啓 皆様におかれましてはいよいよご活躍の段、お喜び申しあげます。 さて、突然ではございますが、以下のように、講談社サイエンティフィク社より書籍を刊行する準備を進めております。 |
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書名 「半導体物性なんでもQ＆A ‐対話から生まれた半導体教本‐」 A5判 224頁 |
| 著者 佐藤勝昭 （科学技術振興機構 研究統括／東京農工大学名誉教授） |
| 内容 著者が運営しているホームページ「物性なんでも物性Q＆A」に寄せられた多くのご質問と、それに対する回答のうち、半導体に関するものを収録・編集し紹介します。 紙面の都合上、一部編集して掲載いたします。また、ページ数の都合上、やむを得ず掲載できない場合がございます。 個人情報につきましては、ホームページ同様、S大学Yさん、S社Yさんと匿名性の保持に努める所存です。 つきましては、以下一覧のご質問を、本書に掲載させていただきたいと考えております。 ご質問をいただいた際のメールアドレスへのご連絡に努めましたが、不通状態の件数が多々見られ、やむを得ずホームページにてご連絡申し上げます。 一覧の「ご連絡」の欄に○の記入がない方々の中で、掲載するにあたって不都合およびご異論がございます方々は、2009年9月30日までに佐藤にご連絡をいただきたいと存じます。 最後に、誠に不本意はございますが、ご連絡をいただけなかった場合は、掲載の件をご了承いただいたものと解釈させていただき、作業を進めさせていただきます。 敬具  佐藤勝昭 |
| 整理番号 | 掲載日付 | 掲載番号 | 題目 | ご質問者 | ご連絡 | |
| 1 | 2000.6.1 | 11 | 非接触でp,n判定できるか | K精工凱さん | ||
| 2 | 2000.6.13 | 13 | キャリア濃度 | 阪府大*;*;さん | ||
| 3 | 2001.1.18 | 28 | 圧電セラミクスとPb | 九大日野さん | ||
| 4 | 2001.10.30 | 50 | CDの虹色 | Nonoguchiさん | ||
| 5 | 2001.8.28 | 51 | 最近の磁性半導体の話題 | 阪大 金村さん | ||
| 6 | 2001.9.27 | 55 | ポリマーの色と電気伝導 | バンドー化学 武居さん | ||
| 7 | 2002.01.21 | 67 | 半導体の誘電率に関する質問 | 筑波大学小山さん | ||
| 8 | 2002.03.04 | 76 | １次元格子のデバイ温度 | K大学稲葉さん | ||
| 9 | 2002.10.29 | 135 | キャリア活性化 | 日産自動車金子さん | ||
| 10 | 2002.11.04 | 137 | 絶縁体の光吸収 | 東京理科大田中さん | ||
| 11 | 2002.11.15 | 144 | 半導体のサブギャップ吸収 | 東京理科大田中さん | ||
| 12 | 2002.12.06 | 154 | 半導体についたヨウ素を除くには | 北Texas大、神(ジン)さん | ||
| 13 | 2003.02.10 | 176 | シリコンウェハーの斜め入射UV反射率 | 千葉大大学院Uさん | ||
| 14 | 2003.04.10 | 188 | シリコンの超音波反射 | 半導体会社RYさん | ||
| 15 | 2003.08.20 | 244 | ITOの結晶構造 | S大学碇さん | ||
| 16 | 2003.09.12 | 253 | ナノ結晶シリコンの発光メカニズム | A社Kさん | ||
| 17 | 2003.10.08 | 260 | 高校理科における半導体関係 | 高校3年 小坂さん | ||
| 18 | 2003.11.08 | 277 | LEDの発光の原理 | Ｋ大Yさん | ||
| 19 | 2003.11.11 | 279 | シリコンの屈折率 | 岐阜大Sさん | ||
| 20 | 2004.02.02 | 322 | 導体の誘電率 | A社Bambooさん | ||
| 21 | 2004.02.19 | 329 | ZnOの圧電性について | 京都工繊大Mさん | ||
| 22 | 2004.03.15 | 336 | アモルファスカーボンの電気特性 | Ｋ大Hさん | ||
| 23 | 2004.03.15 | 337 | 複合誘電体の誘電率 | Ｄ社Oさん | ||
| 24 | 2004.03.16 | 339 | 導体の誘電損失 | Ｋ社中堀さん | ||
| 25 | 2004.04.26 | 366 | 縮退半導体の静電遮蔽効果 | Ｆ社Oさん | ||
| 26 | 2004.06.10 | 347b | ペロブスカイト型強誘電体の圧電性 | 阪府大Ｏさん | ||
| 27 | 2004.06.24 | 374 | 間接遷移がわからない | 化学系Oさん | ||
| 28 | 2004.07.12 | 388 | 半導体素子の温度依存性 | Ｍ社山田さん | ||
| 29 | 2004.07.12 | 390 | 真性半導体の活性化エネルギー | 群馬高専亀谷さん | ||
| 30 | 2004.07.29 | 402 | バイポーラトランジスタのhFE(=Ic/Ib)の温度依存性 | Ｍ社山田さん | ||
| 31 | 2004.08.25 | 414 | １次元の箱に閉じこめられた質量ｍの粒子の運動量 | 社会人学生中島さん | ||
| 32 | 2004.09.15 | 424 | 有機ＭＯＳキャパシター | 東北大小林さん | ||
| 33 | 2004.10.06 | 430 | 半導体エピ層における圧電効果 | 東京工科大大平さん | ||
| 34 | 2004.11.24 | 479 | 電界によるバンド間励起は可能か | Ｔ大Oさん | ||
| 35 | 2005.01.19 | 514 | 高周波回路と誘電率 | Ｎ大Ｋさん | ||
| 36 | 2005.02.22 | 528 | 材料工学科vs物理工学科 | Ｔ大Nさん | ||
| 37 | 2005.02.23 | 531 | 高温におけるシリコンの比抵抗 | Ｍ社Sさん | ||
| 38 | 2005.03.18 | 534 | シリコンの熱処理 | Ｍ社山田さん | ||
| 39 | 2005.03.03 | 539 | 薄膜の誘電率 | Ｏ大Dさん | ||
| 40 | 2005.07.29 | 620 | スピン演算子の固有値問題 | Ｘ大学Ｙさん | ||
| 41 | 2006.01.06 | 709 | なぜZnOはn型で、NiOはp型か | R大Ｓさん | ||
| 42 | 2006.01.07 | 710 | シリコンの屈折率と消光係数 | Ａ社Ｓさん | ||
| 43 | 2006.01.18 | 727 | 「物性」とは | 翻訳者Ｍさん | ||
| 44 | 2006.01.18 | 728 | 金属の種類とショットキー接合 | Ａ高専Ｏさん | ||
| 45 | 2006.01.23 | 729 | P形半導体のショットキーダイオード | Ｈ社Ｏさん | ||
| 46 | 2006.02.16 | 751 | アモルファス半導体のキャリア濃度 | Ｒ大Ｔさん | ||
| 47 | 2006.06.15 | 795 | 太陽電池材料に関する質問 | Ｈ大Ｏさん | ||
| 48 | 2006.06.19 | 798 | アモルファス太陽電池のpin構造 | Ｈ大Ｏさん | ||
| 49 | 2006.07.03 | 807 | トランジスタの電流増幅の仕組み | Ｆ大Ｈさん | ||
| 50 | 2006.08.11 | 824 | DVD-RAM記録層はAFMで観察できるか | Ｓ社Ｙさん | ||
| 51 | 2006.08.11 | 826 | 半導体中の空間電荷制限電流の温度依存性 | Ｔ大Ｓさん | ||
| 52 | 2006.08.17 | 829 | パンチスルー現象 | 日大荻原さん | ||
| 53 | 2006.10.10 | 841 | CdTeの電析について | Ｋ大Ａさん | ||
| 54 | 2006.11.21 | 871 | ｐｎ接合の光電流 | 東工大照井さん | ||
| 55 | 2006.12.04 | 880 | ZnO薄膜の応用性 | 京大村中さん | ||
| 56 | 2007.01.11 | 901 | 太陽電池作製に必要なシリコンの量 | Ｈ高Ｔさん | ○ | |
| 57 | 2007.01.19 | 904 | 太陽電池の低温特性 | Ｓ社Ｎさん | ||
| 58 | 2007.02.13 | 920 | pnダイオードの抵抗制限電流領域 | 神奈川大遠藤さん | ||
| 59 | 2007.05.22 | 955 | ホッピング伝導とトンネル伝導 | 東理大渡邊さん | ||
| 60 | 2007.08.07 | 994 | フォトダイオードの受光領域 | Ｋ大Ａさん | ○ | |
| 61 | 2007.08.30 | 998 | トラップ存在下における空間電荷制限電流 | Ｄ大Ｍさん | ||
| 62 | 2007.09.08 | 1000 | 白色LEDについて | Ｎ大Ｈさん | ||
| 63 | 2007.09.08 | 1001 | ZnO透明導電膜について | Ｋ大Ｓさん | ||
| 64 | 2007.10.25 | 1015 | 金属と半導体の電気伝導の温度変化の主要因 | 武蔵工大植村さん | ||
| 65 | 2007.11.02 | 1022 | GaAs, GaPのバンドギャップ | Ｏ大Ｔさん | ○ | |
| 66 | 2007.11.07 | 1023 | なぜ光伝導スペクトルを測定するのか | Ｏ大Ｔさん | ○ | |
| 67 | 2007.11.10 | 1024 | なぜPtの自由電子の散乱寿命は短いのか | Ｍ社Ｏさん | ||
| 68 | 2007.11.14 | 1026 | 太陽電池の理論的最大変換効率の導出法 | Ｏ大Ｔさん | ○ | |
| 69 | 2007.12.05 | 1030 | ショットキーダイオードのI-V特性 | Ｏ大Ｔさん | ||
| 70 | 2007.12.19 | 1034 | 形態の違うシリコンの物性値 | Ｔ社Ａさん | ||
| 71 | 2008.01.29 | 1052 | ＩＴＯの仕事関数 | Ｙ大Ｙさん | ||
| 72 | 2008.02.12 | 1061 | 窒化ガリウム(GaN)の抵抗率の基板による違い | Ｔ大Sさん | ||
| 73 | 1061b | 1061の質問に対する土屋様のコメント | ||||
| 74 | 2008.02.21 | 1064 | チタン酸バリウム薄膜研究の意義 | Ｎ大Ｓさん | ||
| 75 | 2008.02.21 | 1065 | 半導体の光学現象の量子力学 | Ｍさん | ||
| 76 | 2008.04.27 | 1079 | ソーラーパネルは発光するか | 熊本県Ｋさん | ||
| 77 | 2008.06.14 | 1097 | PN接合の拡散電位を電池として利用できるか | Ａ社Ｋさん | ||
| 78 | 2008.09.11 | 1114 | pn 接合ダイオードの順方向電流-電圧特性について | Ａ高専Ｙさん | ○ |