＜文部省科学研究費関係＞
(1)Reflectivity Spectra and Electronic Structures in Co(S1-xSex)2 System; 昭和５９年度総合研究(B)「新しい光磁気材料の開発」報告書（分担）(1986.3)p7-12.
(2)Fe7Se8の反射および磁気光学スペクトル; 昭和６０年度総合研究(A)「金属間化合物の基礎磁性」報告書（分担）(1987.3)p13-14.
(3)磁気円二色性発光法による半導体の深い準位の研究; 昭和６２年度一般研究(B)（代表）報告書 (1988.3) 全61頁.
(4)T-V-Y2族半導体の光物性の遷移金属元素による制御； 昭和６２年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（公募代表）報告書 (1988.3)p102-105.
(5)遷移金属カルコゲナイドおよび組成変調多層構造膜における磁気光学効果の基礎的研究， 昭和６３年度特定研究「新しい光磁気材料の開発と物性の研究」報告書（分担）(1989. 2) p43-60.
(6)化合物半導体の光物性の制御: 昭和６３年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（A03:計画班班長）報告書(1989.3) p73-76.
(7)T-V-Y2族半導体の光物性の遷移元素による制御: 平成元年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（A03:計画班班長）報告書(1990.3) p71-74.
(8)CuGa1-xInxS2の不純物Feによる赤外発光:平成２年度総合研究(B)「三元・多元化合物の物性と評価」（分担）報告書(1991.3) p35-36.
(9)高機能光電変換材料としての多元化合物の光物性： 平成２年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（分担）報告書 (1991.3) p80-84.
(10)Magnetooptical Kerr Spectra in Pt/Co Multilayers between 1.2 and 5.4 eV: 平成２年度重点領域研究「金属人工格子」（公募、代表）報告書(1991.3) p203-208.
(11)磁気円二色性発光法による化合物半導体中の希土類イオンの発光機構の研究： 平成２年度一般研究Ｂ（代表）報告書(1992.3)全65ページ.
(12)高機能光電変換材料としての多元化合物の光物性: 平成３年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（分担）報告書 (1992.3) p84-88.
(13)Magnetooptical Spectra of Metallic Multilayers in the Short Wavelength Region 平成３年度重点領域研究「金属人工格子」（公募、代表）報告書(1992.3) p275-281.
(14)高機能光電変換材料としての多元化合物の光物性: 平成４年度重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」（分担）報告書 (1993.3) p79-83 および p1043-1045.
(15)Magnetooptical Spectra in Pt/co and Pt/Fe Multilayers: 平成４年度重点領域研究「金属人工格子」（公募、代表）報告書(1993.3) p306-310.
(16)Magnetooptical Spectra in Metallic Superlattices: Research Report on Metallic Artificial Superlattices, ed. H. Fujimori, (March 1993) p177-181.
(17) Hot-Wall Growth and Magneto-Optical Studies of MnSb Films on GaAs Substrates: 平成７年度総合研究(A)「スピン制御による半導体超構造の新展開」(分担) 中間報告書(1996.2) p52-55
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＜放送文化基金報告書＞
(1)T-V-Y２族化合物半導体の光電変換特性の研究; 放送文化基金助成研究報告書No.10（昭和５９年度助成分）(1986.12)p134-140.
(2)ＩＣＢ法によるCuInSe2薄膜の作製と評価;放送文化基金助成研究報告書（昭和６３年度助成分）(1990.12)
＜通産省サンシャイン計画＞
(1)昭和６０年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発−アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1986.3)p79-91.（分担）「薄膜の光吸収スペクトルの測定と解析」
(2)昭和６１年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発−アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1987.3)p66-85.（分担）「ＰＤＳによるバンド裾状態の評価」
(3)昭和６２年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発−アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1988.3)P42-58.（分担）「ＰＤＳと時間分解発光スペクトルによる評価」
(4)昭和６３年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発−アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1989.3)P37-58.（分担）「時間分解発光スペクトルによるギャップ状態の評価」
(5)平成元年度サンシャイン計画報告書「アモルファス太陽電池の研究開発−アモルファスシリコンの光ＣＶＤ機構と膜質の研究」(1990.3)P44-68.（分担）「時間分解発光スペクトルによるギャップ状態の評価，CuInSe２薄膜のICB法による作製」
(6)平成２年度サンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発−低温成膜技術の研究」(1991.3)P1-48.（代表）
(7)平成３年度サンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発−低温成膜技術の研究」(1992.3)P1-29.（代表）
(8)平成４年度サンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発−低温成膜技術の研究」(1993.3)P1-25.（代表）
(9)平成５年度ニューサンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発−低温成膜技術の研究」(1994.3)P1-31.（代表）
(10)平成６年度ニューサンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発−低温成膜技術の研究」(1995.3)P1-45.（代表）
(11)平成７年度ニューサンシャイン計画報告書「高効率太陽電池の研究開発−低温成膜技術の研究」(1996.3)P1-31.（代表）
＜共同研究＞
(1)高梨弘毅，藤森啓安，佐藤勝昭：
Ｃ１ｂ型ホイスラー化合物およびその人工格子膜の磁気光学効果の研究
平成元年度東北大学金属材料研究所共同研究報告 1990.3, p126.